Фізичні властивості кристалів Li2Ge7O15 в області фазового переходу
Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
Подобные документы
Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Вивчення впливу орієнтуючих поверхонь на деякі електро-оптичні явища в рідких кристалів комірках. Характеристика світлоіндукованого переходу Фредерікса та відгук на взаємодію з кутовим моментом світла. Процес формування об'ємних дифракційних граток.
автореферат, добавлен 07.01.2014Побудова моделей для опису кінетики спонтанної аморфізації метастабільної кристалічної фази загартованих металевих сплавів. Розгляд теорії фазового переходу рідини в аморфний стан. Вивчення утворення полікластерної структури переохолодженої рідини.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Зміна фізичного стану тіла при зміні температури. Виділення прихованої теплоти затвердіння або плавлення на поверхні фазового переходу. Умови виконання теплового балансу. Процес замерзання води. Умови на межі замерзання. Алгоритм пошуку рішення.
контрольная работа, добавлен 27.11.2013Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Встановлення ролі внутрішнього джерела флуктуацій у процесах упорядкування, фазового розшарування та структуроутворення в реакційно-дифузних стохастичних системах бінарного типу. Аналіз формування стаціонарних нуклеативних структур з внутрішнім шумом.
автореферат, добавлен 25.08.2015Виникнення світлоіндукованої орієнтації молекул рідкого кристала на орієнтуючих підкладках, взаємозв’язок орієнтації з анізотропією поверхневого рельєфу. Залежність фотоорієнтації ліотропних хромонічних рідких кристалів від напрямку поляризації світла.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дослідження впливу особливостей розподілу електронної щільності на фізичні властивості купратів та рідкісноземельних оксидів. Розрахунок багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку і великим числом атомів в елементарній комірці.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Специфіка міжмолекулярних взаємодій, їх вплив на надмолекулярне впорядкування, властивості бінарних систем на базі рідких і органічних молекулярних кристалів у різних фазових станах. Фізико-хімічні властивості, модель утворюваних надмолекулярних структур.
автореферат, добавлен 22.07.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020- 44. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Методи експериментальної побудови магнітних фазових діаграм за допомогою діелектричного резонансу. Поводження компонентів тензора статичної магнітної сприйнятливості в околицях трикритичних точок на лінії фазового переходу першого і другого роду.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Математична модель еквівалентної діелектричної проникності впорядкованого і невпорядкованого неоднорідного сипкого середовища. Порівняльний аналіз ємнісних первинних перетворювачів з різними формами внутрішнього електрода: циліндричною, конусною, вгнутою.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014