Твердотельная электроника
Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
Подобные документы
Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Рассмотрение основных классификаций статических преобразователей и преимуществ выбора их параметров. Изучение способов защиты полупроводниковых приборов и повышения надёжности электропитания потребителей. Описание схем многозвенного преобразователя.
статья, добавлен 20.05.2017Определение назначения и изучение общих характеристик электроизмерительных приборов как класса устройств, применяемых для измерения различных электрических величин. Изучение устройств магнитоэлектрических, электромагнитных и электродинамических приборов.
курсовая работа, добавлен 26.09.2012Современный подход к прогнозированию рынка силовой электроники, основанной на зависимости объема рынка полупроводниковых приборов от объема вырабатываемой электроэнергии. Математическая регрессионная модель зависимости объема рынка силовой электроники.
статья, добавлен 30.07.2016Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Ознакомление с процессами, протекающими в электрических аппаратах. Характеристика особенностей магнитной цепи и приводов электрических аппаратов. Анализ комбинированных контактных полупроводниковых аппаратов. Изучение функционирования резисторов.
методичка, добавлен 26.02.2021Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.
презентация, добавлен 29.08.2015Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Синхронизирующая оптронная развязка. Генератор пилообразного напряжения. Расчёт компаратора.
курсовая работа, добавлен 18.11.2017Элементы электрических цепей, их топология. Переменный ток, изображение синусоидальных переменных. Цепи синусоидального тока, векторные диаграммы и комплексные соотношения для них. Символический метод расчета. Закон Ома для участка цепи с источником ЭДС.
курс лекций, добавлен 17.05.2010Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 11.03.2014Анализ факторов, влияющих на точность расчета нормируемых параметров заземляющих устройств. Способы повышения точности расчетов нормированных параметров заземляющих устройств. Расчетные этапы электромагнитной диагностики состояния системы заземления.
статья, добавлен 14.09.2016Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
лабораторная работа, добавлен 16.06.2017Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Повышение температуры перехода полупроводниковых приборов, входящих в их состав как основной способ повышения удельной мощности преобразователей параметров электроэнергии. Разработка радиаторов под конкретный тип преобразователя. Оптимизация профилей.
статья, добавлен 27.07.2017Теоретические аспекты электрохимической защиты. Рассмотрение вопросов численного расчета электрических полей в системах катодной электрохимической защиты сооружений от коррозии. Обзор основных методов расчета параметров электрохимических систем.
статья, добавлен 25.07.2018Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.
презентация, добавлен 22.12.2015Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.
реферат, добавлен 07.08.2010Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
реферат, добавлен 19.05.2017- 71. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Исследование режимов электрических цепей методом векторных и круговых диаграмм. Уравнение дуги окружности в комплексной форме. Круговые диаграммы тока и напряжений для элементов последовательной и сложной цепи. Порядок построения круговой диаграммы.
лекция, добавлен 23.07.2013Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.
контрольная работа, добавлен 01.12.2016Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018