Твердотельная электроника

Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

Подобные документы

  • Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Рассмотрение основных классификаций статических преобразователей и преимуществ выбора их параметров. Изучение способов защиты полупроводниковых приборов и повышения надёжности электропитания потребителей. Описание схем многозвенного преобразователя.

    статья, добавлен 20.05.2017

  • Определение назначения и изучение общих характеристик электроизмерительных приборов как класса устройств, применяемых для измерения различных электрических величин. Изучение устройств магнитоэлектрических, электромагнитных и электродинамических приборов.

    курсовая работа, добавлен 26.09.2012

  • Современный подход к прогнозированию рынка силовой электроники, основанной на зависимости объема рынка полупроводниковых приборов от объема вырабатываемой электроэнергии. Математическая регрессионная модель зависимости объема рынка силовой электроники.

    статья, добавлен 30.07.2016

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Ознакомление с процессами, протекающими в электрических аппаратах. Характеристика особенностей магнитной цепи и приводов электрических аппаратов. Анализ комбинированных контактных полупроводниковых аппаратов. Изучение функционирования резисторов.

    методичка, добавлен 26.02.2021

  • Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Синхронизирующая оптронная развязка. Генератор пилообразного напряжения. Расчёт компаратора.

    курсовая работа, добавлен 18.11.2017

  • Элементы электрических цепей, их топология. Переменный ток, изображение синусоидальных переменных. Цепи синусоидального тока, векторные диаграммы и комплексные соотношения для них. Символический метод расчета. Закон Ома для участка цепи с источником ЭДС.

    курс лекций, добавлен 17.05.2010

  • Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.

    контрольная работа, добавлен 18.10.2014

  • Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.

    лабораторная работа, добавлен 11.03.2014

  • Анализ факторов, влияющих на точность расчета нормируемых параметров заземляющих устройств. Способы повышения точности расчетов нормированных параметров заземляющих устройств. Расчетные этапы электромагнитной диагностики состояния системы заземления.

    статья, добавлен 14.09.2016

  • Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.

    лабораторная работа, добавлен 16.06.2017

  • Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.

    дипломная работа, добавлен 30.08.2016

  • Повышение температуры перехода полупроводниковых приборов, входящих в их состав как основной способ повышения удельной мощности преобразователей параметров электроэнергии. Разработка радиаторов под конкретный тип преобразователя. Оптимизация профилей.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Теоретические аспекты электрохимической защиты. Рассмотрение вопросов численного расчета электрических полей в системах катодной электрохимической защиты сооружений от коррозии. Обзор основных методов расчета параметров электрохимических систем.

    статья, добавлен 25.07.2018

  • Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.

    презентация, добавлен 22.12.2015

  • Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.

    реферат, добавлен 07.08.2010

  • Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.

    статья, добавлен 29.04.2019

  • Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.

    реферат, добавлен 19.05.2017

  • Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.

    автореферат, добавлен 27.03.2018

  • Исследование режимов электрических цепей методом векторных и круговых диаграмм. Уравнение дуги окружности в комплексной форме. Круговые диаграммы тока и напряжений для элементов последовательной и сложной цепи. Порядок построения круговой диаграммы.

    лекция, добавлен 23.07.2013

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.

    контрольная работа, добавлен 01.12.2016

  • Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.

    автореферат, добавлен 27.07.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.