Мощные высокочастотные транзисторы
Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
Подобные документы
Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Внутреннее устройство и назначение автоматизированной системы обеспечения надежности и качества аппаратуры АСОНИКА. Ее использование для проектирования высоконадежных радиоэлектронных средств на принципах CALS-технологий и переобучения персонала.
статья, добавлен 08.12.2018Понятие и виды обратной связи. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики усилителя. Понятие и характеристики устойчивости усилителей с обратной связью. Анализ усилительных каскадов при различных схемах включения транзистора.
лекция, добавлен 06.09.2017Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012Описание комплекта типового лабораторного оборудования "Теоретические основы электротехники". Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Операционные усилители, их виды.
учебное пособие, добавлен 10.11.2014Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016- 107. Полевые транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016 - 108. Полевые транзисторы
Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016 Получение передаточной функции для цепи с операционным усилителем. Расчёт параметров низкочастотного фильтра второго порядка. Выбор индуктивностей и емкостей. Схемы замещения электронного устройства. Построение амплитудно-частотной характеристики схемы.
контрольная работа, добавлен 31.05.2015Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Функциональный электронный блок с внутренним монтажом кристаллов. Применение технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики LTCC. Материалы для производства LTCC изделий. Система смешанной металлизации. Преимущества металлических паст Ferro.
статья, добавлен 04.12.2018Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Создание методик идентификации и верификации параметров электрорадиоизделий иностранного производства, предназначенных для расчета надежности систем связи. Методика идентификации параметров ЭРИ ИП в формате блок-схемы; американский и китайский подходы.
дипломная работа, добавлен 14.08.2020Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Разработка электрической принципиальной схемы усилителя. Расчет максимального напряжения в нагрузке. Определение мощности, рассеиваемой на резисторе. Вычисление максимального тока базы транзисторов выходного каскада. Калькуляция емкости конденсатора.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Изучение принципов построения, особенностей работы и применения операционных усилителей как элементов различных устройств и систем обработки информационных сигналов. Компенсация емкостной нагрузки и скорость нарастания. Коррекция частотной характеристики.
курсовая работа, добавлен 21.09.2013Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.
курсовая работа, добавлен 25.10.2015Методика выявления недостатков в существующих методах оценки надежности и отказоустойчивости локальных сетей. Выбор и обоснование метода моделирования процессов функционирования системы обеспечения надежности и отказоустойчивости компьютерных сетей.
автореферат, добавлен 16.10.2012Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Задание величины отрицательной обратной связи с помощью пассивных элементов (резисторов), обладающих хорошей стабильностью. Разработка схемы с общим эмиттером, использующая транзистор. Использование полевых транзисторов. Метод дифференциального каскада.
лекция, добавлен 29.10.2013Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012