Расчет полупроводниковых резисторов

Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.

Подобные документы

  • Вращающееся магнитное поле. Переходные процессы в линейных электрических цепях с сосредоточенными параметрами. Способы составления характеристического уравнения. Переходные процессы в цепи с одним накопителем энергии и произвольным числом резисторов.

    курс лекций, добавлен 29.04.2015

  • Изучены линейные резисторы. Представлены данные для измерений. Сделан расчет зависимостей I=f(U) для трех резисторов. Построение графика зависимости силы тока от напряжения, подаваемого на резисторы различных номиналов. Потеря мощности в резисторе.

    практическая работа, добавлен 14.11.2023

  • Принцип работы сцинтилляционного счетчика. Предназначение и основные элементы фотоэлектронного умножителя (ФЭУ). Выбор рекомендуемых технических условий значений для резисторов и емкостей делителя ФЭУ. Описание цепи стабилизации операционного усилителя.

    контрольная работа, добавлен 11.12.2015

  • Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.

    реферат, добавлен 30.10.2014

  • Функциональное назначение элементов силовой схемы. Расчет силового трансформатора, тиристоров, реактора, предохранителей, резисторов и конденсаторов. Функциональное назначение элементов системы импульсно фазового управления. Выбор операционного усилителя.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2017

  • Разработка универсального источника бесперебойного питания, который может использоваться в любой аппаратуре мощностью до 600 Вт. Описание структурной схемы проекта. Выбор резисторов, коденсаторов. Расчет основных расходов и определение цены изделия.

    дипломная работа, добавлен 24.11.2010

  • Исследование установившегося и переходного режимов в электрической цепи, содержащей четырехполюсники и управляемые источники. Построить схемы пассивного четырехполюсника, содержащего последовательное или параллельное соединение резисторов и емкости.

    курсовая работа, добавлен 26.10.2017

  • Предварительный расчет резисторов по постоянному току. Проверка расчета по постоянному току каскадов на биполярных транзисторах V3 и V4 с помощью компьютера. Вычисление усилителя на переменном токе, построение амплитудно-частотной характеристики.

    курсовая работа, добавлен 09.03.2021

  • Расчет числа и значений пусковых резисторов. Описание движения рабочей точки. Расчет переходного процесса при пуске электропривода, построение графика изменения скорости. Разработка принципиальной схемы управления пуском электропривода в функции времени.

    курсовая работа, добавлен 03.10.2016

  • Классификация электроизмерительных приборов и технические требования, предъявляемые к ним. Основные системы электроизмерительных приборов. Принципы действия приборов электромагнитной и магнитоэлектрической систем. Схема соединения катушек амперметра.

    лекция, добавлен 20.04.2012

  • Расчет тяжелых аварийных режимов управляемого выпрямителя подстанции. Короткое замыкание на шинах выпрямленного напряжения и при пробое тиристорного плеча. Проверка тиристоров по току рабочего режима. Определение параметров резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 15.01.2015

  • Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Определение входного сопротивления относительно зажимов источника ЭДС. Расчет участка цепи с параллельным включением резисторов. Определение токов ветвей методом контурных токов. Проверка баланса мощностей. Составление уравнений по законам Кирхгофа.

    контрольная работа, добавлен 05.04.2011

  • Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.

    статья, добавлен 29.07.2016

  • Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.

    курс лекций, добавлен 15.09.2017

  • Выбор принципиальной электрической схемы инвертирующего усилителя с отрицательной обратной связью. Расчет номиналов, выбор типов навесных резисторов и типа операционного усилителя. Принципиальная схема блока питания с выбором стабилизатора напряжения.

    курсовая работа, добавлен 15.02.2012

  • Расчет и моделирование источника вторичного питания. Схемы на основе операционных усилителей, элементная база для усилителя. Осциллограмма входного и выходного сигнала. Развитие микросхем техники, проектирование полупроводниковых усилительных устройств.

    курсовая работа, добавлен 10.05.2016

  • Создание моделей резисторов и конденсаторов. Разработка схемы с интегрирующей и дифференцирующей RC-цепочками с масштабными усилителями на выходе. Анализ по постоянному току, переходных процессов, частоты на входах и выходах операционных усилителей.

    лабораторная работа, добавлен 02.12.2014

  • Выбор силового трансформатора и полупроводниковых приборов. Расчет гармонического состава тока. Выбор элементов пассивной защиты от аварийных токов и перенапряжений. Проектирование принципиальной схемы и электрический расчет функциональных элементов.

    курсовая работа, добавлен 05.06.2016

  • Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.

    статья, добавлен 16.11.2018

  • Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.

    автореферат, добавлен 26.07.2018

  • Реальные электрические схемы П- и ПИ-регуляторов на базе интегральных микросхем и их передаточные функции. Графики временных характеристик входного и выходного сигналов заданных регуляторов при постоянном, треугольном и синусоидальном воздействиях.

    лабораторная работа, добавлен 29.10.2012

  • Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2016

  • Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Экспериментальное определение сопротивления проводника, а также сопротивления резисторов при их последовательном и параллельном соединении. Исследование зависимости сопротивления однородного цилиндрического проводника от его поперечного сечения.

    лабораторная работа, добавлен 08.03.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.