Технология создания полевого транзистора MOSFET-структуры. Моделирование процесса создания планарной микроструктуры Ge-p-n-p

Рассмотрение истории прибора, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем. Анализ классификации полевых транзисторов. Оценка принципа работы MOSFET-транзистор с индуцированным и встроенным каналом.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.