Исследование вольтамперных характеристик выпрямительных диодов, диодов Шоттки, светодиодов и стабилитронов
Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
Подобные документы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015- 52. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Оценка коэффициента полезного действия компенсационных стабилизаторов и габаритной мощности силового трансформатора. Выбор выпрямительных диодов. Оптимизация конструкции охладителей для транзисторов. Расчет элементов схемы защиты от перегрузок по току.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.
диссертация, добавлен 10.08.2020Функциональная схема устройства. Режимы работы счетчика К500ИЕ137. Распределение технических характеристик по блокам. Анализ метрологических характеристик счетчика, его емкость и быстродействие. Наиболее важные для моделирования параметры диодов КД503А.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.
лекция, добавлен 09.12.2013Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018- 62. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Теоретический анализ свойств кольцевого тракта измерителя параметров невзаимных четырехполюсников по правилу некасающегося контура. Определение погрешности измерения модуля коэффициента передачи ферритовых вентилей в прямом и обратном направлениях.
статья, добавлен 12.07.2013Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Конструкция индикаторных 5 мм светодиодов. Маркировка и виды корпусов светодиодов. Напряжения питания и сила тока - их главные характеристики. Принцип последовательного и параллельного включения светодиодов. Отличительные качества мигающих светодиодов.
реферат, добавлен 30.08.2012Выбор и обоснование структурной схемы радиостанции. Анализ работы блока сопряжения. Исследование антенно-фидерного устройства, синтезатора и усилителя мощности. Особенность избрания диодов и транзисторов. Характеристика разделения частотных искажений.
дипломная работа, добавлен 03.10.2017Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Феномен проводимости в твердом теле с точки зрения квантовой физики. Зонная теория электропроводности для различных твердых материалов. Функция Ферми-Дирака для равновесного состояния электронов. Разница в проводимости полупроводников и кристаллов.
лекция, добавлен 01.09.2013