Квантовые поправки к проводимости разупорядоченных двумерных систем
Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
Подобные документы
Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Проведение численного алгоритма для исследования двумерных волноведущих систем. Использование метода конечных разностей во временной области, TS/SF и идеального согласованного слоя. Изучение двумерных фотонных кристаллов и основанных на них устройств.
статья, добавлен 06.11.2018Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Влияние дальнодействующего дипольного взаимодействия на термоиндуцированную релаксацию намагниченности в двумерных системах наночастиц с перпендикулярной анизотропией. Алгоритм численного нахождения закона магнитной релаксации в системах наночастиц.
статья, добавлен 23.10.2010Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Общая характеристика, методы получения и области применения графена. Теоретические и экспериментальные исследования его свойств. Отличия свойств материала от других двумерных структур. Исследование кристаллической решетки, проводимости и эффекта Холла.
контрольная работа, добавлен 27.06.2013Проведение исследования статической и динамической проводимости карбинов, синтезированных в условиях высокого давления. Экспериментальное подтверждение модели Ханта для одномерной прыжковой проводимости на переменном токе. Исследование модели Хаббарда.
автореферат, добавлен 25.07.2018Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Характеристика основных проблем возникающих вследствие нефизических траекторий для двумерных неадиабатических реакций. Исследование специфических особенностей влияния внешнего периодического воздействия на туннелирование через потенциальный барьер.
автореферат, добавлен 02.03.2018Использование базиса квантово-когерентных состояний для описания состояния поля поляризации в ПБР (полярон большого радиуса). Сопоставление предсказанных оптических свойств систем с ПБР. Построение термодинамической функции распределения носителей заряда.
автореферат, добавлен 16.02.2018Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.
статья, добавлен 27.11.2018Исследование электропроводности галогенидов аммония, фуллерена и графита. Выявление характерных особенностей барических и температурных зависимостей проводимости. Анализ влияния времени обработки давлением на установленные особенности электропроводности.
автореферат, добавлен 08.02.2013Изучение двумерных материалов с необычными свойствами. Исследование различных типов дефектов, возникающих в состоянии равновесия. Получение дисклинации с топологическим зарядом равным единице. Изменение направления линий гексагонального порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Исследование истории понятия электрического заряда и закона сохранения заряда. Характеристика закона Кулона и Ома. Определение электрической проводимости веществ. Особенности открытия магнитного взаимодействия и явления электромагнитной индукции.
реферат, добавлен 13.05.2016Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Гальваномагнитные явления, магнетосопротивление, эффект Эттингсгаузена. Концентрация 3d-электронов проводимости в зависимости от энергии. Классический эффект Холла и его приложения. Двумерные металл-диэлектрик-полупроводники – структуры и гетероструктуры.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Назначение катодного листа диафрагменного электролизера. Влияние ориентации листа, перфорированного круглыми отверстиями, на величину поперечной проводимости. Определение поверхностной удельной проводимости перфорированного листа, степени её анизотропии.
статья, добавлен 08.02.2017Схема опыта Толмена и Стюарта. Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Определение модуля заряда электрона. Порядок величины числа атомов в единице объема. Электронная теория проводимости металлов. Удельный заряд частиц.
статья, добавлен 02.04.2014