Туннелирование в микроэлектронике
Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
Подобные документы
Решение параболического уравнения для волн в среде неоднородного диэлектрика. Проверка алгоритма на примере исследования фокусирующих свойств цилиндрических линз Микаэляна и Максвелла. Расчет поля антенны на основе градиентной и радиально-слоистой линзы.
статья, добавлен 05.11.2018Технология использования присадочных металлов или сплавов при пайке для заполнения зазора между соединяемыми поверхностями с целью получения монолитного шва. Использование специальных клеев – контактол, наполненных серебряным порошком, в микроэлектронике.
контрольная работа, добавлен 18.04.2016Анализ метаматериала на основе диэлектрического слоя, обладающего неоднородным распределением атомов вдоль поперечной координаты. Решение двухточечной граничной задачи об отражении плоской линейно поляризованной электромагнитной волны от диэлектрика.
статья, добавлен 02.04.2019Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
учебное пособие, добавлен 26.09.2017Преобразование десятичных чисел в двоичную систему счисления при помощи шифратора. Использование шифраторов в устройствах ввода информации в цифровые системы. Построение дешифратора, осуществляющего преобразование. Использование преобразователей кодов.
реферат, добавлен 26.02.2015Использование информации о различиях в направлении прихода полезного сигнала и подавляемых помех в адаптивных устройствах. Описание управления двухконтурной схемы по помехе и сверточному широкополосному сигналу по принципу экстремального регулирования.
статья, добавлен 30.10.2018Механизм генерации когерентного электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Его реализация в экспериментах по взаимодействию лазерных импульсов фемтосекундной длительности с поверхностью тонких наноструктурированных ферромагнитных пленок.
статья, добавлен 07.11.2018- 33. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Структура, фазовий склад та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування тонких плівок на основі FePt в мікроелектроніці. Основні методи впливу на структуру та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування методу in situ резистометрії.
диссертация, добавлен 02.10.2018Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Полное внутреннее отражение света. Математическое обоснование эффекта Снелли. Создание компьютеров и программного обеспечения. Роль и принцип работы оптоволоконной линии связи. Законы Снеллиуса и полное внутреннее отражение в слоисто-неоднородных средах.
реферат, добавлен 28.04.2016Собственные колебания плоскопараллельных сочленений волноводов, условия их существования. Отклик структуры на возбуждение колебания падающим полем в одноволновом диапазоне. Причина появления резонансов прохождения сквозь диафрагмы с запредельными щелями.
статья, добавлен 04.11.2018Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Способы классификации печатных антенн. Особенности создания антенных решеток. Изготовление сверхширокополосного излучателя. Механизм появления поверхностных волн в месте соприкосновения диэлектрика и воздуха. Методы согласовании линии и вибратора.
статья, добавлен 27.02.2019Вероятностные характеристики совокупности сигнала и помехи. Плотности вероятности при постоянной дисперсии шума. Анализ прохождения сигнала и помехи через типовые тракты в радиотехнических устройствах. Уменьшения дисперсии выходного случайного процесса.
реферат, добавлен 05.04.2011Стандартный материал микро- и наноэлектроники. Основа структурного единства различных технологий создания устройств микроэлектроники и микромеханики. Элементы микропроцессорных устройств и интегральных схем памяти. Использование скрытых силикатных слоев.
статья, добавлен 02.11.2018Основные процессы, происходящие в обычных аналоговых электронных схемах. Методы кодирования, применяемые в цифровых устройствах (параллельный, весовой, числовой), их характеристика. Процедура аналого-цифрового преобразования непрерывного сигнала.
реферат, добавлен 01.05.2013Физические свойства электровакуумных и полупроводниковых приборов. Описание импульсных устройств и преобразовательной техники. Основы микроэлектроники и вычислительной техники. Особенности судовой электроавтоматики и автоматизированных установок.
книга, добавлен 13.03.2014- 44. О построении сложных неоднородных компьютерных сетей с использованием подвижных средств радиосвязи
Построение неоднородных компьютерных сетей. Определение оптимального числа стационарных станций и их размещение в заданном регионе со сравнительно гладким рельефом. Задача покрытия местности сетью стационарных станций. Обеспечение стабильной связью.
статья, добавлен 29.01.2019 Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Использование эффекта значительного увеличения входного сопротивления усилителя для получения большого сопротивления. Оценка эффекта компенсации емкости соединительного кабеля при использовании усилителя. Измерение выходного напряжения милливольтметром.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Физические механизмы объемного заряжения диэлектрика при облучении электронами энергиями от 1 до 10МэВ. Описание вычислительных программ DICTAT и GEANT 4, методы моделирования ускорения частиц. Расчет возникновения электрического пробоя в диэлектрике.
курсовая работа, добавлен 25.06.2017- 48. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Использование фотоэлементов и фотодиодов в качестве приемников. Спектры источников света. Цвет, длинна волны, частота. Естественный свет в опытах по интерференции. Атомная модель Бора. Полупроводниковый лазер, предназначенный для микроэлектроники.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013Обзор способов ведения поисковых работ в неоднородных средах. Принцип действия и условия применения акустических приборов поиска. Применение метода декомпозиции для субполосной адаптивной фильтрации и точности определения местоположения пострадавшего.
статья, добавлен 08.02.2022