Вплив сильних електричних полів на вольт-амперні характеристики напівпровідникових приладів
Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
Подобные документы
- 101. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Експериментальне вивчення особливостей детектування та генерації надвисокочастотних коливань міліметрового діапазону довжин хвиль лінійним ланцюжком високотемпературних приладів з джозефсонівськими контактами, інтегрованими у резонатор поверхневої хвилі.
автореферат, добавлен 07.08.2014Визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Підвищення ефективності та покращення вихідних параметрів рентгенотелевізійних систем неруйнівного контролю.
автореферат, добавлен 29.09.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Аналіз процесів розсіяння електромагнітних хвиль викривленими ідеально провідними екранами скінченної товщини резонансних розмірів. Оцінка ефективної поверхні розсіяння, щільності поверхневих струмів і ближніх полів для екранів скінченної товщини.
автореферат, добавлен 13.08.2015Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Заміна освітлювальних приладів на основі ламп розжарювання та газорозрядних джерел світла на світлодіодне освітлення. Надійність і енергоефективність використання діодів у сфері енергозаощадження. Впровадження комплексних систем освітлення в Україні.
статья, добавлен 19.02.2016Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
автореферат, добавлен 29.04.2014Характеристика об’єкту та аналіз зорових задач. Вибір нормованої освітленості і коефіцієнту запасу, джерел світла та освітлювальних приладів, системи освітлення та її видів. Розміщення освітлювальних приладів та вибір марки проводу та способу прокладання.
контрольная работа, добавлен 18.05.2014Розвиток електромагнітних методів для передпосівної обробки насіння зернових культур. Використання низькоенергетичних електромагнітних полів високочастотного діапазону. Діапазон частот електромагнітних полів для збільшення проростання насіння кукурудзи.
автореферат, добавлен 28.12.2015Розвиток методу скінченних елементів в частині розробки нових математичних моделей чисельного розрахунку тривимірних електричних полів у полімерній ізоляції самоутримних ізольованих проводів. Взаємний вплив сукупності різних мікронеоднорідностей.
автореферат, добавлен 26.07.2014Енергетичні стани квантових систем. Оптичні елементи квантових приладів. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання. Основи нелінійної оптики.
методичка, добавлен 18.04.2014Виявлення залежності спектрів та хвильових функцій електронів від геометричних розмірів складових частин багатошарових сферичних наногетеросистем. Дослідження особливостей локалізації електронів та дірок у періодичних сферичних наногетеросистемах.
автореферат, добавлен 04.03.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Огляд використання напівпровідникових випромінювачів та модуляції оптичного випромінювання по інтенсивності. Дослідження проектування та монтажу передавальних квантово-електронних модулів. Аналіз цифрових систем передачі у волоконно-оптичному зв’язку.
реферат, добавлен 08.01.2011Визначення природи контактних явищ в гетероструктурах з надпровідними і ненадпровідними купратними металооксидами. Особливості утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу ВТНП гетероструктур. Методи твердофазного синтезу буферних шарів.
автореферат, добавлен 12.07.2014- 117. Надтонкі діелектричні молекулярні плівки, організація і еволюція їх структури, оптичні властивості
Вивчення структурної стабільності високовпорядкованих діелектричних молекулярних плівок в залежності від інтеркаляції іонів металів. Аналіз механізмів фазових перетворень періодичної металоорганічної матриці і росту напівпровідникових нанокристалів.
автореферат, добавлен 25.09.2015 Визначення діапазонів термодинамічної стабільності багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів АІІBVI з вмістом ртуті і виявлення причин утворення ділянок нестабільності. Пояснення особливостей електрофізичних характеристик фотодіодів Шотткі.
автореферат, добавлен 14.10.2015Фізико-математичне обґрунтування протікання вихрових струмів і магнітних полів у плоских листових тонкостінних металевих заготовках. Виявлення специфіки індукованих струмів та магнітних полів у режимах їх високочастотного та низькочастотного протікання.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження діелектричних та напівпровідникових властивостей монокристалів молібдату свинцю. Вивчення особливостей переносу зарядів у сталому та низькочастотному електричному полі. Основні закономірності фотодіелектричного ефекту у молібдаті свинцю.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вивчення принципу роботи перетворювачів постійного струму в змінний по синусоїдальному закону. Розробка методики вибору параметрів інвертора напруги з відсікаємим комутуючим дроселем. Розрахунок напівпровідникових ключів із внутрішнім зворотним зв'язком.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження основних процесів взаємодії світла, особливо світлових пучків високої інтенсивності, з екситонними та біекситонними елементарними збудженнями при непружному розсіянні екситонних молекул в напівпровідникових кристалах та наноструктурах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Процеси взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу домішок, що дифундують в напівпровідникових структурах. Утворення шару метал-діелектрик.
автореферат, добавлен 29.09.2014Теорія електронного та екситонного спектра у надгратці циліндричних напівпровідникових квантових точок. Теорія активної провідності та її залежність від геометричних параметрів циліндричної напівпровідникової двобар’єрної резонансно-тунельної структури.
автореферат, добавлен 27.07.2015