Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників
Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
Подобные документы
Специфіка механізму іонного розпилення поверхневих металевих кластерів з використанням методу молекулярної динаміки. Особливості моделювання розпилення іонами аргону низьких енергій металевих кластерів з поверхонь металевих монокристалічних підкладинок.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження закону розподілу концентрації кисню. Аналіз математичних моделей і експериментальних даних. Визначення основних параметрів моделей. Розроблення моделі дифузії і споживання глюкози в злоякісній пухлині залежно від ступеня оксигенації клітин.
автореферат, добавлен 27.04.2014Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013- 29. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворення вакансій радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, які описуються багаточастинковими атомними потенціалами.
автореферат, добавлен 22.06.2014 Проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Комплекс математичних моделей для комп’ютерного моделювання процесів структуроутворення.
автореферат, добавлен 29.01.2016- 31. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень. Утворення вакансій, радіаційно-адсорбованих та міжвузлових атомів у каскадах зіткнень, що виникають в одно- і двокомпонентних кристалах при взаємодії з низькоенергетичними іонами інертних газів.
автореферат, добавлен 22.06.2014 Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження структури конвекційних течій, а також динаміки конвекційного перенесення тепла, імпульсу і маси залежно від фізико-хімічних і гідродинамічних параметрів. Визначення рушійної сили молекулярної дифузії. Огляд законів дифузії для бінарної суміші.
статья, добавлен 21.01.2018Розробка алгоритмів для моделювання методом Монте Карло адсорбції водню на поверхні перехідних металів. Визначення ролі передстанів у кінетиці адсорбції водню на поверхнях W та Mo. Аналіз причин, що призводять до відмінності в кінетиці адсорбції водню.
автореферат, добавлен 05.08.2014Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Термодинамічні функції електронного газу у сильноанізотропних шаруватих напівпровідниках для моделей залежності енергії від квазіімпульсу. Залежність термодинамічних функцій від параметра перемішування, застосування теорії пружності Дебая в кристалах.
статья, добавлен 29.09.2016Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Перебіг структурних змін у приповерхневих шарах епітаксійних плівок CdHgTe, після імплантації іонів арсену й азоту. Удосконалення методів діагностики структурних дефектів на основі узагальненої динамічної теорії дифракції Х- променів реальними кристалами.
автореферат, добавлен 14.08.2015- 43. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014