Промышленная электроника

Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.

Подобные документы

  • Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Приборы, работающие в микроволновом диапазоне волн. Специфические параметры смесительных диодов. Рассмотрение параметров и технических характеристик генератора дифракционного излучения. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона.

    презентация, добавлен 10.08.2015

  • Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Теоретические вычисления зависимости тока от напряжения. Анализ селенового и медно-закисного выпрямителей. Особенность коэффициентов выпрямления, внутреннего сопротивления и полезного действия. Снятие вольтамперных характеристик в прямом направлении.

    реферат, добавлен 13.09.2015

  • Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.

    учебное пособие, добавлен 17.01.2015

  • Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2017

  • Общая характеристика оптических квантовых генераторов, история их создания и назначение. Физическая основа работы лазера, уникальные свойства данного вида излучения. Описание свойств некоторых твердотельных лазеров - волоконных и полупроводниковых.

    контрольная работа, добавлен 29.05.2013

  • Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Принцип работы механоэлектрических резистивных преобразователей. Реостат как устройство для регулирования напряжения и тока в электрической цепи. Тензо-, фото- и терморезисторы. Особенности конструкции интегральных полупроводниковых тензорезисторов.

    контрольная работа, добавлен 24.04.2013

  • Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.

    контрольная работа, добавлен 15.01.2016

  • Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.

    автореферат, добавлен 29.03.2013

  • Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.

    курс лекций, добавлен 28.08.2017

  • Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.

    курсовая работа, добавлен 01.01.2014

  • Изучение излучения молекул галогенидов благородных газов в тлеющем и барьерном разрядах. Характеристика лазерных импульсов в плазме. Сравнение энергии генерации в смесях с водородом и углеводородами. Использование генераторов на полупроводниковых диодах.

    автореферат, добавлен 11.03.2014

  • Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

    курсовая работа, добавлен 10.04.2015

  • Краткое ознакомление с активными и пассивными элементами, изменяющими электрические сигналы в цепях. Определение независимых источников тока. Характеристики полупроводниковых приборов, использующихся в промышленности. Диодная структура тиристоров.

    реферат, добавлен 01.06.2015

  • Разработка алгоритма самосогласованного моделирования переноса электронов методом Монте-Карло в структурах с двумерным электронным газом. Содержание и анализ программы расчета интенсивностей рассеяния электронов с учетом уширения энергетических уровней.

    автореферат, добавлен 19.08.2018

  • Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.

    реферат, добавлен 16.10.2014

  • Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.

    реферат, добавлен 01.04.2016

  • Преобразователи на двойных электрических слоях. Типы асимметричных электродных систем. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах. Чувствительность ДЭС к воздействию физических факторов. Биологические детекторы и их принцип работы.

    контрольная работа, добавлен 24.01.2018

  • Высоковольтные источники питания повышенной и высокой частоты. Использование полупроводниковых преобразователей и ламповых генераторов. Регулируемый электропривод, структура и принцип работы силовой части. Вырезанные участки синусоид входного напряжения.

    дипломная работа, добавлен 09.06.2014

  • Элементы линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Способы соединения фаз в трехфазных системах. Принцип действия и виды трансформаторов, полупроводниковых приборов, аппаратуры управления и защиты. Устройство синхронной машины.

    учебное пособие, добавлен 21.05.2013

  • Исследование трудности замены, энергопотерь и степени износа существующих теплотрасс. Рассмотрение необходимости перехода на бесканальную прокладку. Анализ преимуществ применение труб с пенополиуретановой изоляцией. Оценка их экономической эффективности.

    статья, добавлен 26.02.2017

  • Систематизация силовых полупроводниковых преобразователей в соответствии с принципиальными особенностями схемы и функциональным назначением; с областью применения; с мощностью; с особенностями конструкции; со способом охлаждения. Способы охлаждения.

    контрольная работа, добавлен 10.09.2012

  • Изложение методов определения тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь. Характеристика проводниковых (алюминий и свинец), полупроводниковых (карбид кремния и варистор) и магнитных материалов (железо технически чистое и феррит 1БИ).

    контрольная работа, добавлен 11.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.