Вольт-амперні характеристики діода Шотткі
Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
Подобные документы
Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 52. Аморфні метали
Аморфні металеві сплави, процес утворення та структура. Кристалізація аморфних металевих сплавів. Методи отримання аморфних і наноструктурних матеріалів. Одержання аморфних металів. Аморфні феромагнетики: властивості, застосування. Гнучке скло, REAL-скло.
курсовая работа, добавлен 01.10.2011 Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.09.2019Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Визначення впливу дефектної структури на характеристики міцності і термічної стабільності АМС типу метал-металоїд. Дослідження температурних залежностей мікротвердості матеріалу різного складу. Структура високотемпературної надпровідної композиції.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 59. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Simourg (Simulator of Usually Requested Geometries) и ее применение для быстрой оценки эффективности и функции отклика детектора по отношению к моноэнергетическим гамма-квантам в области энергий от килоэлектрон-вольт до нескольких мегаэлектрон-вольт.
статья, добавлен 22.08.2013Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Розробка моделі сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором. Статична метрологічна характеристика, залежність функції перетворення від температури, зміна вихідної напруги пристрою з часом.
статья, добавлен 28.02.2017Особливості формування нерівноважних функцій розподілів електронів при взаємодії швидких легких іонів із плазмою напівпровідників і металів. Можливості створення з використанням цих розподілів перетворювачів енергії ядерних частинок в електричну.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження впливу магнітодомішкових станів електронів у нормальних металах, напівметалах і вироджених напівпровідниках на властивості спіральних і магнітоплазмових хвиль. Розрахунок характеристик нових типів хвиль: поляризації, спектру і швидкості.
автореферат, добавлен 05.01.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 71. Тиристор
Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.
презентация, добавлен 30.11.2023 Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015