Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
Подобные документы
Дослідження оптичних спектрів поглинання скла в області власного поглинання та визначення характерних параметрів правила Урбаха. Аналіз впливу на величину електропровідності одночасної модифікації диселеніду германію селенідом меркурію і купруму.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Побудування діаграми стану розрізів досліджуваних систем. Встановлення фізичних основ синтезу кристалічних сполук та стекол. Дослідження електропровідності гомогенних кристалічних та склоподібних сплавів, визначення внеску іонної та електронної складових.
автореферат, добавлен 30.07.2015Порядок та головні етапи визначення модуля пружності, особливості використання метода згину в даному процесі. Методика обчислення існуючих похибок пристроїв вимірювання. Вивчення та аналіз отриманих результатів, їх обґрунтування та проведення оцінки.
лабораторная работа, добавлен 01.11.2013Дослідження структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, характеристика їх відклику на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. Встановлення аспектів формування зонного спектру кристалу CdSb.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вивчення впливу параметрів кіл з одним реактивним елементом на характеристики перехідних процесів. З'ясування змісту основних понять, що використовуються при аналізі перехідних процесів. Аналіз залежності часу перехідного процесу від параметра елементу.
лабораторная работа, добавлен 07.12.2020Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів. Відклик кристальних структур на зовнішні збурення (деформації та дефекти). Симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу.
автореферат, добавлен 29.09.2014Експериментальне визначення моментів інерції твердих тіл. Перевірка теореми Штейнера. Закон збереження механічної енергії. Аналіз залежності кутового зміщення платформи від часу. Розрахунок періоду коливань платформи із вантажем, розташованим по центру.
лабораторная работа, добавлен 19.07.2017Розробка методу визначення залежностей коефіцієнта вертикальної дифузії і швидкості дисипації енергії від локальної стратифікації. Дослідження фізичного механізму стабілізації фронтальної зони дрібномасштабної стічної лінзи на припливному шельфі.
автореферат, добавлен 07.08.2014Проектування фотоелектричної системи (ФЕС) та їх підключенні до енергосистеми. Дослідження впливу метеоумов на продуктивність ФЕС. Вироблення енергії ФЕС в залежності від хмарності та клімату. Коливання потужності ФЕС в залежності від хмарності.
статья, добавлен 21.02.2017Аналіз зв'язку опору жорсткого стовпчикового мікроконтактного з'єднання інтегральних схем з його конструктивними розмірами та технологічними способами виготовлення. Особливість усунення впливу перекору під'єднувальних зондів та їхніх контактних підпор.
автореферат, добавлен 18.07.2015Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Визначення параметрів електричного поля. Аналіз залежності спаду напруги від радіусу конденсаторних обкладок і ємності між ними. Розрахунок даних фарфорової покришки. Знаходження стійкості остова до теплового пробою. Дослідження потужності що відводиться.
курсовая работа, добавлен 01.04.2016Експериментальні дані диференціальних перерізів реакції при енергії Елаб.(10B)=51МеВ для основних і збуджених станів 8Bе. Аналіз за методом зв’язаних каналів реакцій. Визначення параметрів потенціалу взаємодії ядер. Дослідження їх енергетичної залежності.
статья, добавлен 07.10.2013Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Результати аналізу існуючих структур систем вимірювання кількості теплової енергії та рівнянь обчислення кількості теплової енергії, які застосовують у системах. Комплекс для обчислення інтегральної кількості енергії між точками системи теплопостачання.
статья, добавлен 23.10.2020Вивчення електрофізичних властивостей термодинамічно гомогенних розплавів. Дослідження механізму розсіювання електронів в іонно-електронних системах. Вдосконалення методики високотемпературних вимірювань електропровідності хімічно агресивних середовищах.
автореферат, добавлен 12.07.2015Характеристика порівняльного аналізу експериментальних даних з результатами обчислювального експерименту. Визначення адекватності фізних моделей для проведення досліджень процесу інтеркаляції на стадії переносу інтеркалянта в шаруватій структурі.
автореферат, добавлен 25.08.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Характеристика параметрів реактивного опору лінії електропередач. Визначення зв'язку повного струму із густиною стороннього струму. Розрахунок індуктивного та реактивного опору. Розробка математичної моделі для визначення індуктивного опору мережі.
статья, добавлен 26.07.2016Дослідження залежності похибки вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла від відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання та від інтенсивності фонового випромінювання. Вплив фонового випромінювання.
статья, добавлен 14.09.2016- 98. Статистичні ефекти та оптимальна обробка сигналів у магнітнорезонансній і проективній томографії
Оптимізація процесів збудження, вимірювання випромінювання у томографічних системах. Формування радіочастотних імпульсів збудження ядерного магнітнорезонансного томографа. Метод оцінки залежності якості реконструйованих томограм від шумових характеристик.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014