Разработка программно-аппаратного комплекса для автоматизированного измерения и экстракции параметров мощных полупроводниковых компонентов
Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
Подобные документы
Разработка алгоритма работы микроскопа. Задачи решаемые системой. Подсчет погрешности выдерживания частоты и фазы управляющего сигнала. Выбор асинхронного двигателя и коммутирующей микросхемы. Энергопотребление и разработка программного обеспечения.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Сравнительный анализ газоразрядных, вакуумно-люминесцентных, полупроводниковых индикаторов. Структурная, функциональная и принципиальная схемы системы вывода информации на буквенно-цифровое табло. Разработка алгоритма и программного обеспечения.
дипломная работа, добавлен 26.02.2013Изучение измерений на оптоволоконном тракте. Анализ параметров, измеряемых при строительстве оптоволоконного тракта, сдаче в эксплуатацию, эксплуатации и по окончании ремонтно-восстановительных работ. Характеристика оптических измерительных приборов.
научная работа, добавлен 23.04.2012Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Выбор типа приемника и его обоснование. Расчет полосы пропускания, промежуточной частоты, параметров транзисторов, реальной чувствительности, коэффициента усиления высокочастотной части и полосы отдельных каскадов, а также проверка их устойчивости.
контрольная работа, добавлен 09.04.2014Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Обоснование выбора электронных компонентов (транзисторов, резисторов, светодиодов, конденсаторов) индикатора для поиска электропроводки в стене. Создание и принципиальной схемы и разработка электромонтажного индикатора. Отличия индикаторов по функционалу.
дипломная работа, добавлен 07.12.2019Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Исследование структуры программно-аппаратного измерительного канала. Построение математических моделей для каждого из блоков. Расчет погрешности для измерительного канала. Анализ настроек модели канала, оказывающих влияние на погрешность измерения.
статья, добавлен 27.02.2018Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Расчет параметров радиоинтерфейса системы связи стандарта GSM. Определение диапазона частот. Построение графика зависимости излучаемых передатчиками мощностей базовой и мобильной станций от рабочей частоты. Составление биполярных кодовых слов кода Уолша.
контрольная работа, добавлен 29.04.2014Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.
контрольная работа, добавлен 08.06.2016Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов. Расчет делителя в цепи базы. Особенность приращения тока коллектора и базы. Определение параметров элементов схемы замещения полупроводникового прибора. Оценка нелинейных искажений каскада.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Классификация автоматических систем регулирования. Характеристики и модели элементов и систем. Измерения технологических параметров. Государственная система приборов. Виды первичных преобразователей. Приборы для измерения температуры, сопротивления.
методичка, добавлен 21.12.2015