Разработка программно-аппаратного комплекса для автоматизированного измерения и экстракции параметров мощных полупроводниковых компонентов

Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.

Подобные документы

  • Разработка алгоритма работы микроскопа. Задачи решаемые системой. Подсчет погрешности выдерживания частоты и фазы управляющего сигнала. Выбор асинхронного двигателя и коммутирующей микросхемы. Энергопотребление и разработка программного обеспечения.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Сравнительный анализ газоразрядных, вакуумно-люминесцентных, полупроводниковых индикаторов. Структурная, функциональная и принципиальная схемы системы вывода информации на буквенно-цифровое табло. Разработка алгоритма и программного обеспечения.

    дипломная работа, добавлен 26.02.2013

  • Изучение измерений на оптоволоконном тракте. Анализ параметров, измеряемых при строительстве оптоволоконного тракта, сдаче в эксплуатацию, эксплуатации и по окончании ремонтно-восстановительных работ. Характеристика оптических измерительных приборов.

    научная работа, добавлен 23.04.2012

  • Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.

    реферат, добавлен 25.01.2012

  • Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.

    лекция, добавлен 22.04.2015

  • Выбор типа приемника и его обоснование. Расчет полосы пропускания, промежуточной частоты, параметров транзисторов, реальной чувствительности, коэффициента усиления высокочастотной части и полосы отдельных каскадов, а также проверка их устойчивости.

    контрольная работа, добавлен 09.04.2014

  • Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.

    курсовая работа, добавлен 22.02.2014

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.

    презентация, добавлен 31.10.2020

  • Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.

    курс лекций, добавлен 08.04.2016

  • Обоснование выбора электронных компонентов (транзисторов, резисторов, светодиодов, конденсаторов) индикатора для поиска электропроводки в стене. Создание и принципиальной схемы и разработка электромонтажного индикатора. Отличия индикаторов по функционалу.

    дипломная работа, добавлен 07.12.2019

  • Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2015

  • Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.

    учебное пособие, добавлен 31.01.2019

  • Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.

    курсовая работа, добавлен 19.11.2014

  • Исследование структуры программно-аппаратного измерительного канала. Построение математических моделей для каждого из блоков. Расчет погрешности для измерительного канала. Анализ настроек модели канала, оказывающих влияние на погрешность измерения.

    статья, добавлен 27.02.2018

  • Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 21.12.2015

  • Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.

    автореферат, добавлен 10.12.2013

  • Расчет параметров радиоинтерфейса системы связи стандарта GSM. Определение диапазона частот. Построение графика зависимости излучаемых передатчиками мощностей базовой и мобильной станций от рабочей частоты. Составление биполярных кодовых слов кода Уолша.

    контрольная работа, добавлен 29.04.2014

  • Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.

    контрольная работа, добавлен 08.06.2016

  • Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.

    дипломная работа, добавлен 28.11.2019

  • Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов. Расчет делителя в цепи базы. Особенность приращения тока коллектора и базы. Определение параметров элементов схемы замещения полупроводникового прибора. Оценка нелинейных искажений каскада.

    курсовая работа, добавлен 27.09.2017

  • Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.

    автореферат, добавлен 01.09.2018

  • Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.

    доклад, добавлен 15.10.2011

  • Классификация автоматических систем регулирования. Характеристики и модели элементов и систем. Измерения технологических параметров. Государственная система приборов. Виды первичных преобразователей. Приборы для измерения температуры, сопротивления.

    методичка, добавлен 21.12.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.