Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників
Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
Подобные документы
Дослідження математичних моделей динамічних похибок електричних компенсаційних вимірювальних перетворювачів зі статичною та астатичною функціями перетворення у реальних умовах тестових впливів. Розробка зразку медичної системи контролю балансу ваги.
автореферат, добавлен 25.07.2015Дослідження структури супутникових систем персонального зв’язку. Загальна характеристика та класифікація сучасних технологій рухомого радіозв’язку. Вивчення основних методів розподілу радіоканалів. Системи безпровідних телефонів загального користування.
учебное пособие, добавлен 22.06.2014- 53. Удосконалення методик розрахунку нестаціонарних процесів у напівпровідникових електронних апаратів
Розробка удосконалених методик розрахунку нестаціонарних електромагнітних і теплових процесів у НК, що дозволяють проектувати високонадійні електронні апарати з прийнятними габаритними розмірами та вартістю. Теоретичні та експериментальні дослідження.
диссертация, добавлен 25.06.2014 Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Визначення умов незміщеності та спроможності методу двокритерійної апроксимації даних при застосуванні його для вимірювання електричних параметрів живих тканин. Аналіз точності оцінювання електричних параметрів живих тканин, умови її змінювання.
статья, добавлен 14.01.2017Шляхи підвищення якості отримання мовного сигналу користувача на тлі зовнішніх просторово-анізотропних шумових завад. Аналіз методів аутентифікації користувачів телекомунікаційних систем. Визначення недоліків цих методів. Пропозиції по їх усуненню.
автореферат, добавлен 19.06.2018Закономірності впливу зовнішніх дестабілізуючих чинників на п’єзорезистивні властивості НК Si р-типу як матеріалу, придатного для розроблення сенсорів механічних величин. Зміна енергії активації домішкової провідності під дією одновісної деформації.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка та апробація нових енергоефективних методів регулювання динамічних параметрів електротехнічних систем іскрової обробки неоднорідних провідних середовищ на основі виявлення взаємозв'язку електричних і просторово-часових характеристик розряду.
автореферат, добавлен 27.08.2015Визначення розподілу електричних полів у міжелектродному просторі в вакуумних електроприладах. Дослідження систем зі схрещеними полями. Визначення залежності коефіцієнту для визначення електростатичного потенціалу від геометричних параметрів системи.
статья, добавлен 19.06.2018Аналіз процесів каналоутворення. Розробка методики оцінки інформаційних параметрів дискретного, неперервного і цифрового каналів зв'язку з урахуванням впливу процесів каналоутворення. Формулювання рекомендацій щодо раціонального використання ресурсів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Характеристика техніки безпеки при роботі з електричними схемами. Чутливість і ціна поділки приладу для електричних вимірів. Похибки засобів вимірювання. Дослідження періодичних процесів за допомогою осцилографа. Вивчення законів постійного струму.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017- 62. Моделювання та оптимізація технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем
Технології побудови формалізованої, математичної та комп'ютерної моделі технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем. Аналіз результатів оптимізації цього процесу за критерієм мінімуму сумарних виробничих й експлуатаційних витрат.
статья, добавлен 29.09.2016 Аналіз результатів досліджень впливу субмікронного рельєфу мір на результати калібрування. Технологія виготовлення об’єкт-мікрометра відбитого світла металічного дзеркального покриття. Зменшення невизначеності вимірювань, зумовлених точністю калібрування.
статья, добавлен 30.10.2016Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Характеристика особливостей розвитку методів моделювання мікрострічкових електродинамічних структур, що містять елементи з розподіленими і зосередженими нелінійними елементами. Дослідження основних нелінійних режимів і параметрів таких структур.
автореферат, добавлен 30.07.2015Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Виявлення закономірностей поширення світла у планарному світловоді вздовж рідкокристалічного шару. Комп’ютерне моделювання процесу проходження світла в рідкому кристалі за наявності в ньому зон із різним показником заломлення методами геометричної оптики.
автореферат, добавлен 28.09.2015Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Огляд цифрової системи, призначеної для керування акустичними випробуваннями. Аналіз методів розв’язання обернених задач випромінювання в акустиці засобами моделювання. Дослідження матричних алгоритмів ідентифікації зв’язку в інформаційних системах.
автореферат, добавлен 11.11.2013Вивчення нових структур систем фазового автопідстроювання високої точності і швидкодії. Методика визначення моментів переключення сигналу управління оптимальної за швидкодією комбінованої системи фазового автопідстроювання. Побудова пристрою управління.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка методики розрахунку акустичної чутливості круглих компланарних біморфних п’єзоперетворювачів з урахуванням металевих електродів і з'єднання. Аналіз впливу розмірів і форми елементів перетворювачів, електричних режимів роботи на їх параметри.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
статья, добавлен 27.07.2016Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014