Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения
Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
Подобные документы
Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.
курсовая работа, добавлен 10.11.2016Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Защита телекоммуникационного оборудования от влияния окружающей среды. Сквозной ток при переключении цифровых микросхем: механизм образования и влияние на помехи в системе питания. Базовые конструкции многослойных плат. Основные способы задания графов.
лекция, добавлен 20.03.2011Назначение и принцип действия печатной платы программатора микросхем ПЗУ. Расчет геометрических параметров, освещенности помещения, источника питания и потребляемой мощности. Технология нанесения сухого пленочного фоторезиста. Работа с прибором.
дипломная работа, добавлен 13.05.2010Спектральный анализ периодических и непериодических сигналов. Преобразование непрерывных сигналов в дискретные. Энтропия сложных сообщений. Электронный ключ на биполярном транзисторе. Общие сведения о технологии изготовления интегральных микросхем.
курс лекций, добавлен 18.04.2014Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018Сущность и предназначение цифровых интегральных микросхем, структурная схема измерителя длительности импульсов. Проектирование принципиальной схемы устройства, описание и специфика его функционирования. Расположение радиоэлементов на печатной плате.
курсовая работа, добавлен 05.02.2015История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Разработка устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Составление структурной логической схемы, выбор датчиков: оптических, термодатчиков и управления, их технические характеристики. Разработка печатной платы устройства.
реферат, добавлен 24.04.2014Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2011Внедрение микропроцессорной и цифровой техники в устройства управления промышленными объектами. Основные элементы функциональной схемы цифрового устройства. Интегральные микросхемы, используемые в цифровом устройстве. Подбор интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Определение ширины спектра сигнала и полосы пропускания приемника. Выбор промежуточной частоты и структуры преселектора на одиночных и двух связанных колебательных контурах. Выбор селективной системы тракта промежуточной частоты и интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020- 100. Разработка вещательного приёмника, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией
Расчет полосы пропускания преселектора. Выбор структуры его каскадов, числа избирательных контуров, типа аналоговых интегральных микросхем. Определение избирательной системы тракта промежуточной частоты. Электрическая принципиальная схема приемника.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014