Теория электропроводимости полупроводников
Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
Подобные документы
Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009- 102. Интерфейс RS-485
Свойства, технические характеристики, описание работы и обмен данными по стандарту RS-485. Основные принципы реализации протоколов верхнего уровня. Программное обеспечение для работы в сети, топология, схема приемопередатчика и включения микросхем.
курсовая работа, добавлен 28.04.2010 Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Сущность процесса термостабилизации – работы тех или иных технических средств, способствующих повышению стабильности (устойчивости) режима работы транзисторов при изменении температуры. Термостабилизация работы транзистора. Расчет усилителя частоты.
курсовая работа, добавлен 27.12.2011Функциональная схема радиоприемного устройства, расчет радиоприемника. Усиление несущей, промежуточной и звуковых частот. Параметры полевого и биполярных транзисторов. Функциональная микросхема К174ПС1. Описание работы и электрическая схема РПУ.
курсовая работа, добавлен 25.08.2014Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020- 107. Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013 Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Ультразвуковые датчики: общие сведения и принцип действия. Оппозитный и диффузионный режим работы. Переключающий выход и двоичное обнаружение предмета. Рефлекторный режим работы и особенность воздействия окружающей среды. Температура и влажность воздуха.
доклад, добавлен 27.12.2014Основные преимущества использования транзисторных моделей для усиления звукового сигнала. Принцип работы и характеристика транзисторного, операционного, невелирующего и инвертирующего усилителей. Представление о сумматоре. Устройство сварочных инверторов.
курсовая работа, добавлен 21.06.2023Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Усилительный каскад с общим эмиттером: электрические режимы, частотные свойства и основные параметры работы. Определение динамического режима работы усилительного каскада с общим коллектором. Расчет многокаскадного резисторного усилителя и цепей питания.
учебное пособие, добавлен 13.06.2015Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Классификация усилительных каскадов по режиму работы: линейные и нелинейные импульсные усилители. График импульсного сигнала на входе и его искажения на выходе усилителя. Применение избирательных усилителей. Схема генератора синусоидальных колебаний.
лекция, добавлен 09.12.2013Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.
лекция, добавлен 21.02.2015Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Общие сведения об усилителях мощности. Понятие каскада. Способы подключения нагрузки в усилителе мощности. Принципиальная электрическая схема усилителя мощности, в котором на выходе используются составные транзисторы. Шумы в усилительных каскадах.
реферат, добавлен 13.10.2013- 124. Строение микросхем
Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013 Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014