Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора
Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
Подобные документы
Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010Исследование входных и передаточных операторных функций. Определение частотных характеристик цепи с использованием автоматизированных методов анализа цепей. Расчёт резонансных частот, сопротивлений, полосы пропускания цепи. Схемы транзистора с нагрузками.
курсовая работа, добавлен 16.05.2017Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.
реферат, добавлен 01.05.2009Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Схема системы передачи информации. Обоснование вида модуляции. Разработка транзисторного усилительного каскада электрических сигналов по переменному току. Выбор транзистора и моделирование статических характеристик. Анализ результатов моделирования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2016- 110. Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014 Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.
курсовая работа, добавлен 25.10.2015АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013- 114. Полевые транзисторы
Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013 Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015Биполярный транзистор как весьма сложный полупроводниковый прибор: общая характеристика, знакомство с принципом работы. Рассмотрение основных особенностей определения параметров усилительного каскада. Анализ схемы замещения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 12.05.2013Характеристика рабочего сектора биполярного транзистора, образующего усилительный каскад. Изучение общих требований к положению рабочей точки в пределах рабочего сектора. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
лекция, добавлен 04.10.2013Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014- 122. Усилители мощности
Входящие в расчет каскада мощного усиления: выбор точки покоя на выходных и входных характеристиках транзистора; определение сопротивления нагрузки выходной цепи переменному току. Расчет сопротивлений, задающих смещение, и входного сопротивления каскада.
контрольная работа, добавлен 27.05.2017 Описание схемы и разработка проекта усилительного каскада с распределённой нагрузкой с общим эмиттером. Проведение расчетов по нахождению статической линии нагрузки и рабочей точки транзистора КТ602А. Общий расчет h-параметров проектного транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.09.2019Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009