Надпровідні та ненадпровідні купратні оксиди в напівпровідникових гетероструктурах
Визначення природи контактних явищ в гетероструктурах з надпровідними і ненадпровідними купратними металооксидами. Особливості утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу ВТНП гетероструктур. Методи твердофазного синтезу буферних шарів.
Подобные документы
Моделі для опису кривих дифракційного відбиття кристалів з неоднорідним шаром і їх когерентної та дифузної компонент багатошарових структур з однорідно розподіленими дефектами. Динамічна модель дифракції РП в багатошаровій структурі з дефектами.
автореферат, добавлен 10.08.2014- 52. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Основные характеристики сегнетоэлектриков с точки зрения динамики решетки. Факторы, влияющие на динамику в гетероструктурах на основе наноразмерных пленок. Оценка влияния толщины пленок на параметры элементарной ячейки. Принципы переключения поляризации.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Закономірності оствальдівського дозрівання (коалесценції) дисперсних фаз у металевих сплавах і наноструктур в гетеросистемах з квантовими точками, в умовах дислокаційної дифузії. Вплив можливого порушення когерентності на характер розподілу за розмірами.
автореферат, добавлен 06.07.2014Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.
статья, добавлен 28.05.2017Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження спонтанної генерації доменів електричного поля. Аналіз фізичних механізмів бістабільності в нормальних металах і гетеро-структурах нормальний метал-надпровідних. Теорія доменної і автоколивальної електричних несталостей в нормальних металах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Особенность установления концентрационного порога заполнения, при котором начинается заселение возбужденной подзоны размерного квантования. Анализ идентификации доминирующих механизмов рассеяния в сильнолегированных гетероструктурах типа InAs/AlSb.
автореферат, добавлен 01.09.2018Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вплив елементів легуючої сполуки (диборид титану) на процеси, які відбуваються при імпульсній лазерній модифікації поверхні зразків армко-заліза. Фізичні закономірності формування фазового складу поверхні нелегованих сталей при надшвидкому охолодженні.
автореферат, добавлен 30.08.2014Аналіз динаміки крутих гравітаційних хвиль на поверхні рідини в межах канонічної моделі гідродинаміки. Розробка спектрального методу розрахунку стаціонарних періодичних хвиль у випадку нескінченної глибини. Знайдення нового сімейства сингулярних хвиль.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження загальних властивостей квантово-осциляційних явищ у модельних сполуках як у квазікласичному наближенні, так і в межах методу ефективної маси. Розробка основних дисперсійних співвідношень, що пов’язують енергію та хвильовий вектор носіїв.
автореферат, добавлен 30.10.2015Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Теоретичні моделі рівноважного складу парової фази і масоперенесення. Специфічні особливості супроводження процесів парофазного росту в замкненому об’ємі способами фізичного і хімічного транспорту широкого кола бінарних напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 70. Розробка методу розрахунку контактних напружень на ущільнювальних поверхнях затворів високого тиску
Методи розв’язання задач теорії пружності на основі мішаного принципу Рейсснера. Аналіз деформованого стану контактних ущільнень. Вивчення напруженого стану осесиметрично навантажених тіл обертання. Здійснення розрахунку кільцевих ущільнень затворів.
автореферат, добавлен 22.04.2014 - 71. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014Методи високоефективної плазмової нетермічної обробки поверхні діелектричних матеріалів, використання імпульсних високовольтних газових розрядів. Розробка пристроїв генерації плазми, вимірювання її властивостей та обробка поверхні для здійснення процесів.
автореферат, добавлен 26.08.2014