Симетрійні підходи у дослідженнях багатоелектронних корельованих станів фулерену С60 та фулеридів
Електронні та електронно-коливні механізми у фулерені C60 на істотно багатоелектронних засадах за врахування ікосаедричної симетрії молекулярного остову. Роль та значення взаємодій у формуванні фізичних властивостей багатозарядових іонів фулерену C60.
Подобные документы
- 76. Вплив ангармонізму нормальних коливань на девіацію хімічного зв'язку молекул симетрії С2, С2V, C3V
Розробка методики врахування ангармонізму коливань при розв'язку оберненої спектральної задачі методом 3N матриць для молекул типу А2В2 (C2), АВ2 (C2v), АВ3 (C3v), у вільному та конденсованому станах. Дослідження девіації хімічних зв'язків молекул.
автореферат, добавлен 26.07.2014 - 77. Процеси утворення позитивних і негативних іонів молекул цитозину, тиміну, урацилу електронним ударом
Дослідження процесів іонізації молекул азотистих основ нуклеїнових кислот. Створення експериментальної мас-спектрометричної установки. Розробка джерела молекулярного пучка. Встановлення перебігу процесів іонізації у молекулах цитозину, тиміну, урацилу.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Взаємоперетворення елементарних частинок. Закони збереження у мікросвіті. Закон збереження баріонного та лептонного заряду. Симетрії елементарних процесів. Порушення дзеркальної і зарядової симетрій у процесах розпаду. Систематика елементарних частинок.
методичка, добавлен 26.08.2013Однорідність простору-часу та ізотропність простору. Реальні підтвердження властивостей симетрії. Закон збереження імпульсу, принцип Гамільтона. Інваріантність закону всесвітнього тяжіння. Зміна кінетичної, потенціальної та механічної енергій планети.
статья, добавлен 26.08.2013Вибір оптимальної технології виготовлення шарів оксиду цинку, дослідження їх основних фізичних властивостей та можливостей практичного використання. Особливості структурних, електричних, оптичних і люмінесцентних властивостей гетерошарів оксиду цинку.
автореферат, добавлен 25.07.2015Подальший розвиток квазікласичних підходів до дослідження властивостей основних станів атомних ядер. Розрахунок потенціалів взаємодії ядер і вивчення їх властивостей у рамках МПТФ з урахуванням всіх членів квазікласичного розкладу кінетичної енергії.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Експериментальне дослідження фізичних і хіміко-фізичних механізмів електролізної радикал-рекомбінаційної люмінесценції - електрогенерованої хемілюмінесценції (ЕХЛ) складних органічних сполук у конденсованих середовищах. Механізми виникнення емітерів ЕХЛ.
автореферат, добавлен 27.08.2013Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Особенность создания компьютерной модели молекулы. Описание образца квантово-химическими расчетами. Определение биологической активности по форме. Установление механизма взаимодействия медиатора и рецептора с их пользованием молекулярного моделирования.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015- 86. Релятивістська теорія заборонених радіаційних переходів у спектрах атомів та багатозарядних іонів
Розробка релятивістського методу опису характеристик заборонених радіаційних переходів у спектрах важких атомних систем і багатозарядних іонів. Розрахунки енергій, ймовірностей, сил осциляторів радіаційних переходів для іонів та атомів лантаноїдів.
автореферат, добавлен 25.07.2015 Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Дослідження кінетичних процесів, що мають місце в джерелі негативних іонів, роботи джерела в імпульсно-періодичному режимі. Перенос плазми в джерелі негативних іонів водню з відбитковим розрядом. Вплив домішок цезію на емісійні характеристики джерела.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розробка механізму іонолюмінісцентних сполук в області низьких значень енергії іонів. Врахування акомодації коливальної енергії по електронному каналу. Моделювання ІЛ, яка збуджується іонами низьких енергій цинк-кадмій-сульфідних кристалофосфорів.
автореферат, добавлен 30.10.2015Експериментальне дослідження особливостей конденсаційно-стимульованої і термодифузії у двошарових плівках. Визначення закономірностей при формуванні структурно-фазового стану і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Ni і Fe та Cr і Fe.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розроблення методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури АВМ з максимальною площею розвинутої поверхні. Встановлення закономірності кінетики та механізмів електронно-іонних процесів. Формування локального оточення ядер.
автореферат, добавлен 25.07.2014Різні концепції і трактування часу в філософії, фізиці, метрології. Визначення тривалості існування об`єктів, зміну їх станів і процесів. Кальпа - найбільша одиниця вимірювання часу. Механічні та електронні годинники. Розгляд основних систем відліку.
реферат, добавлен 06.06.2021Спорудження експериментального стенду колективного прискорювача іонів. Отримання прискорення іонів плазми електричним полем віртуального катоду, потік яких слугує інжектором в основну секцію, де прискорення здійснюється хвилею просторового заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2015Закономірності формування електронно-енергетичної структури і характеру хімічних зв'язків у досліджуваній серії апатитоподібних сполук. Оцінка ефектів в еволюції структури валентних смуг і зарядових станів атомів залежно від типу допування 3d-металами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Іонолюмінесценція широкозонних твердих тіл і іонно-фотонна емісія в області низьких значень енергії іонів коливального збудження частинок на поверхні і в об'ємі іонного удару та релаксації високозбуджених коливальних станів по електронному каналу.
автореферат, добавлен 26.08.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014- 97. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо
Структура електронних станів та процесів електронного перенесення в діелектриках, що зазнали дії високих доз радіаційного опромінення. Ідентифікація складних процесів, відповідальних за утворення в умовах важкої ядерної аварії діелектричних композицій.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Розробка концепції створення в сплавах заліза структур нано- і субмікророзмірного рівня та встановлення ролі розмірних ефектів у формуванні механічних властивостей. Розпад пересиченого твердого розчину при природному старінні металів, насичених азотом.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження поведінки ряду антиферомагнетиків з різними типами симетрії під час спінової переорієнтації, що відбувається під дією зовнішнього магнітного поля. Визначення зовнішніх параметрів орієнтаційного фазового переходу, його роду та типу структур.
автореферат, добавлен 24.02.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021