Полевые транзисторы
Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
Подобные документы
История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010- 102. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017 Принцип действия электростатических преобразователей. Схема связей между параметрами диэлектрика. Прямой и обратный пьезоэффекты. Виды емкостных датчиков, примеры их использования, применение, достоинства и недостатки. Резонансные измерительные системы.
реферат, добавлен 08.05.2013Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Диодный преобразователь частоты: схема, принцип действия и недостатки. Использование биполярного или полевого транзистор в транзисторных преобразователях частоты. Балансный и кольцевой преобразователь частоты: основные свойства и принцип работы.
практическая работа, добавлен 15.01.2012Клистроны - исторически первые представители приборов 0-типа. Широко используются в качестве СВЧ-генераторов. Принцип действия клистронного генератора. Динамический принцип управления электронным потоком. Основные характеристики пролетного клистрона.
учебное пособие, добавлен 13.11.2019Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Основные характеристики однофазных выпрямителей. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. Транзисторы и их классификация. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений, параметров входной цепи усилителя и емкостей конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Назначение и принцип действия термостабилизатора. Выбор и обоснование элементной базы: конденсаторы, микросхема, предохранитель, светодиод, резисторы, переключатель, диоды, транзисторы, тиристоры. Расчёт печатной платы, надежности; описание конструкции.
курсовая работа, добавлен 30.07.2017Определение классическим методом переходного значения падения напряжения на этапах последовательного срабатывания коммутаторов, и операторным методом на первом интервале. Построение графика зависимости найденного падения напряжения в функции от времени.
курсовая работа, добавлен 16.04.2014Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Технические характеристики мониторов. Мониторы с электронно-лучевой трубкой. Формирование изображения в плазменном дисплее. Жидкокристаллические экраны. Стандарты безопасности, функциональные возможности плазменного монитора, его достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 30.03.2012Определение максимального технологического допуска тонкоплёночного резистора. Значение сопротивления первой неподгоночной секции для лазерной подгонки, расчёт ее геометрических размеров и формы. Оценка погрешности переходных сопротивлений контактов.
реферат, добавлен 14.03.2017Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Устройство и принцип действия тиристора, представляющего собой четырехслойный кремниевый полупроводник с двумя р-n-переходами и одним n-р-переходом. Расчет естественной механической и скоростной характеристик асинхронного короткозамкнутого двигателя.
курсовая работа, добавлен 12.05.2017Общая характеристика пневматических средств автоматики. Пневматический пропорционально-интегральный регулятор: устройство, принцип действия, достоинства и недостатки. Анализ функциональных элементов регулятора и конструктивный расчет его элементов.
курсовая работа, добавлен 08.05.2014Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013- 122. Интегральные схемы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021 Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014