Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
Подобные документы
Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Встановлення взаємозв'язку структури алмазних та алмазоподібних вуглецевих плівок з умовами осадження. Дослідження фоточутливості отриманих гетеропереходів в ультрафіолетовій області випромінювання. Практичне використання плівок в оптоелектроніці.
автореферат, добавлен 22.04.2014Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016- 56. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Прогнозування міцності і жорсткості шаруватих композицій для умов плоского напруженого стану з урахуванням залишкових термічних напружень. Термомеханічні характеристики окремого шару. Критерії міцності та статистична модель композиційних матеріалів.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 60. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Розробка наукових основ та перспективних технологій отримання однорідних напівізолюючих нелегованих кристалів арсеніду галію. Створення люмінесцентного методу контролю локального абсолютного вмісту фонових домішок та їх розподілу у сполуках А3В5.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження в статичній постановці в рамках моделі кусково-однорідного середовища на основі тривимірної лінеарізованої теорії стійкості деформівних тіл при малих та скінченних докритичних деформаціях шаруватих конструкційних елементів з покриттям.
автореферат, добавлен 25.09.2015Дослідження ізобарної та ізохорної теплопровідності простих молекулярних кристалів. Дослідження впливу теплового розширення на процеси фононного розсіяння в орієнтаційно-упорядкованих та орієнтаційно-неупорядкованих фазах простих молекулярних кристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Виявлення ознак та особливостей різноманітних математичних моделей шаруватих пластин і оболонок. Варіаційна постановка змішаних граничних задач для шаруватих структур як основа методу скінченних елементів. Визначення міжшарових контактних напружень.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
автореферат, добавлен 15.11.2013Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розвиток теорії лінійного та нелінійного оптичного відгука від неоднорідних магнітних середовищ. Огляд шаруватих бігіротропних середовищ, магнітних плівок з різними типами доменних структур, фотонних кристалів, ультратонких багатошарових структур.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фізичні процеси, що протікають на границях розділу твердотільних фаз при імплантації різних домішок. Механізм прискореної дифузії в кремнії та їх кластеризації за рахунок додатково введених точкових дефектів з наступними температурними обробками.
автореферат, добавлен 05.08.2014Залежність поведінки високотемпературної теплопровідності досліджуваних молекулярних кристалів від характеру обертального руху молекул. Розподіл внесків фонон-фононної та фонон-обертальної взаємодії в повний тепловий опір досліджуваних кристалів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Розробка математичної моделі, що описує на основі феноменологічної теорії випромінювання та теорії квазістатичної термопружності, термонапружений стан опромінюваних плоско-шаруватих ізотропних тіл. Оцінка впливу теплового нагріву на поверхні пластин.
автореферат, добавлен 27.07.2015