Фотопроводимость полупроводников
Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
Подобные документы
Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Открытие Лосевым электромагнитных колебаний и их усиление в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Создание прибора "кристадин" на контактной паре металлического острия и кристалла цинкит. Изучение P-N переходов и серийное производство транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2011Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Характеристика фотоэлектрических и фотоэлектрохимических методов преобразования солнечной энергии в тепловую, химическую и другие виды. Гипотеза Планка и явление фотоэффекта. Применение полупроводников с гетеропереходом в работе солнечных элементов.
реферат, добавлен 14.01.2014Ток как направленное движение заряженных частиц, его сила, вектор плотности. Электродвижущая сила, правила Кирхгофа. Закон Ома для замкнутого проводника или для электрической цепи. Электропроводность металлов и полупроводников, термоэлектрические явления.
реферат, добавлен 21.10.2013Понятие диэлектриков, проводников и полупроводников. Параллельная и последовательная эквивалентные схемы диэлектрика с потерями при преобразовании электрической энергии в тепловую. Диэлектрические потери в зависимости от агрегатного состояния вещества.
реферат, добавлен 30.11.2016Изучение управления электрическим моментом в активных полупроводниках ЭЛК-частиц и диполях. Анализ свойств атомов электронной ловушки донорной природы. Обзор механизма преобразований полупроводников. Характеристика сдвига термостимулированных токов.
реферат, добавлен 31.07.2013Краткая биография великих физиков России: Ж.И. Алферова, Д.И. Блохинцева, В.С. Ивановича, Я.Б. Зельдовича, П.Л. Капица, А.Я. Орлова и пр. Их основной вклад в развитие науки физики: открытие полупроводников, люминесценции, фотоэффекта, атомов, радио и пр.
презентация, добавлен 05.11.2016Общее понятие об электрическом заряде. Дискретный ряд разрешенных энергий, с которыми могут существовать электроны в атоме. Заряженные частицы в твердом теле. Функция распределения Ферми-Дирака. Определение концентрации электронов в зоне проводимости.
лекция, добавлен 27.09.2017- 91. Внутренние шумы
Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.
реферат, добавлен 27.06.2015 Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Свободные электроны и дырки, образованные в результате "термической ионизации". Определение проводимости полупроводника. Ряд смысловых значений термина "время жизни". Фотопроводимость, отнесённая к единице интенсивности возбуждающего излучения.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016- 95. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Влияние электромагнитного поля и излучения на живые организмы. Исследование электромагнитного излучения видеотерминалов. Основные источники воздействия – электромагнитные поля от линий электропередач и от радиотелевизионных и радиолокационных станций.
реферат, добавлен 03.03.2017Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013