Мікроскопічна теорія електронних властивостей напівпровідникових шаруватих кристалів та інтеркальованих структур
Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
Подобные документы
Розробка системи кінетичних рівнянь заселеностей електронних рівнів для опису фотоіндукованих фазових перетворень в органічних кристалах. Оцінка розподілу густини екситонів у подвійних квантових ямах у зовнішньому неоднорідному електричному полі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Особливості низькотемпературної системи як об'єкту термодинамічної оптимізації. Математичне моделювання станів робочих речовин, процесів, схем теплотехнічних установок. Аналітичне дослідження термодинамічної ефективності простих циклів кріогенної техніки.
автореферат, добавлен 29.01.2016Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 104. Феноменологічні моделі магнітних та пружних властивостей сплавів, що зазнають фазових перетворень
Розробка феноменологічних моделей для опису макроскопічних властивостей кристалів та синтетичних сполук із урахуванням їх мікроструктури, чутливої до впливу зовнішніх полів. Методика розрахунку властивостей кристалів в околі фазових перетворень.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вивчення кореляційного взаємозв'язку між магнітними властивостями кристалів і ефективною валентністю рідкісноземельного іону. Порядок формування електронних транспортних властивостей твердих розчинів на основі потрійних сполук європію та ітербію.
автореферат, добавлен 12.02.2014Закономірності розподілу компонентів вздовж кристалів багатокомпонентних твердих розчинів АІІBVI, вирощених методом модифікованої зонної плавки. Визначення концентрації та енергії активації акцепторних центрів у напівпровідниковому твердому розчині.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Фізичні процеси, що протікають на границях розділу твердотільних фаз при імплантації різних домішок. Механізм прискореної дифузії в кремнії та їх кластеризації за рахунок додатково введених точкових дефектів з наступними температурними обробками.
автореферат, добавлен 05.08.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка аналітично-ітераційного методу для розв’язку стаціонарної і нестаціонарної задачі модуляції космічних променів. Відповідність розподілу в часі концентрації галактичних заряджених частинок енергії в геліосфері із фазами циклу сонячної активності.
автореферат, добавлен 14.07.2015Проведення розділення коливань за типами симетрії, використовуючи метод класифікації коливних мод в надпросторовому підході. Отримання розкладу повного коливного зображення досліджуваного кристалу Hg3Te2Cl2 та його розклади по незвідних зображеннях.
статья, добавлен 27.12.2016Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вивчення електродинамічних властивостей електромагнітних поверхневих хвиль, які поширюються на границі розподілу двох різних шарувато-періодичних структур з різними товщинами шарів та діелектричними проникностями. Аналіз поширення геліконових хвиль.
автореферат, добавлен 29.09.2014Кристалографічні зміни в структурі інтеркалатів А3В6 і А52В63, проведення фазового аналізу та електрофізичних властивостей. Енергоємність та встановлення механізму струмотворчої реакції ЛДС, покращення експлуатаційних параметрів фільтрових конденсаторів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015Методика розрахунку зонної структури та встановлення повної діаграми дисперсії енергетичних зон. Визначення рівноважних параметрів основного стану та атомних показників броміду індію. Аналіз спектрів діелектричних функцій експериментальних оптимумів.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження механізму радіолюмінесценції кристалів BaCl2-Pb. Ймовірність випромінювальної та теплової релаксації електрон-діркової пари у ґратці кристала та їх залежність від концентрації активатора. Розрахунок енергетичного виходу радіолюмінесценції.
статья, добавлен 30.07.2016