Электрические свойства полупроводников

Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

Подобные документы

  • Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

    реферат, добавлен 15.11.2009

  • Важное место в физике стеклообразного состояния стеклования жидкости как процесса, обратного размягчению стекла. Исследование вязкого течения стеклообразующих расплавов в области перехода "жидкость – стекло". Характеристика критерия размягчения стекол.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Методом эффекта поля обнаружены осцилляции прыжковой проводимости по слою нанокластеров Ge, связанные с электрон-электронными корреляциями. Изучение возможности управления областью поглощения света в структуре путем приложения внешнего напряжения.

    статья, добавлен 16.11.2018

  • Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.

    курсовая работа, добавлен 24.12.2015

  • Актуальность и особенности практического применения электроприводов переменного тока с питанием от автономных инверторов напряжения. Коммутация статорных цепей асинхронного двигателя с помощью транзисторов при фазовом управлении ими, их свойства.

    статья, добавлен 31.01.2019

  • Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Оценка влияние света на ход электрических процессов. Определение зависимости фототока от приложенного напряжения. Квантовый анализ внешнего фотоэффекта. Механизм перераспределения электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках.

    реферат, добавлен 01.10.2015

  • Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Преобразование треугольника сопротивлений в эквивалентную звезду. Расчет токов в ветвях с использованием законов Кирхгофа и методом контурных токов. Расчет напряжения холостого хода для верхней или нижней части внешнего контура. Потенциальная диаграмма.

    контрольная работа, добавлен 18.10.2009

  • Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.

    учебное пособие, добавлен 21.09.2018

  • Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.

    лабораторная работа, добавлен 19.12.2015

  • Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.

    курсовая работа, добавлен 23.05.2015

  • Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.

    курс лекций, добавлен 25.02.2014

  • Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.

    лекция, добавлен 25.09.2017

  • Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.

    курсовая работа, добавлен 03.06.2016

  • Расчет электрических нагрузок промышленного предприятия, токов и питающих линий. Выбор числа, мощности и типа трансформаторов цеховых подстанций; напряжения, схемы внешнего электроснабжения; величины напряжения и схемы внутреннего электроснабжения.

    дипломная работа, добавлен 30.01.2014

  • Электрические заряды и закон Кулона. Циркуляция вектора напряженности электростатического поля. Электрические токи в металлах, вакууме и полупроводниках. Сила и плотность постоянного электрического тока. Закон Ома для участка и полной замкнутой цепи.

    учебное пособие, добавлен 13.10.2017

  • Устройство и основы работы тиристора. Предельно допустимые значения и характеризующие параметры тиристоров. Вольтамперная характеристика и составляющие токов в тиристоре. Структура и вольтамперные показатели симистора. Принцип действия фототиристора.

    реферат, добавлен 21.09.2017

  • Структурные схемы и электрические соединения подстанции. Расчет токов короткого замыкания для выбора аппаратов. Расчетные условия на первичном и вторичном напряжении. Выбор типов релейной защиты и измерительных трансформаторов. Анализ энергосбережения.

    курсовая работа, добавлен 14.10.2015

  • Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Расчет номинального значения напряжения питания стабилизатора, коэффициента сглаживания пульсаций. Определение мощностей, рассеиваемых резистором. Проверка работоспособности стабилизатора.

    лабораторная работа, добавлен 15.05.2014

  • Определение плотности полного электрического тока по Максвеллу. Понятие проводимости среды и виды поляризации. Электрические свойства минералов, жидкой и газообразной фазы. Методы, позволяющие определять удельное электрическое сопротивление пород.

    презентация, добавлен 15.10.2013

  • Выбор силовых трансформаторов, коммуникационных аппаратов, трансформаторов тока и напряжения, токоведущих частей, конструкции РУ и расчёт токов короткого замыкания. Определение числа линий на высоком напряжении. Разработка схемы перетоков мощности.

    дипломная работа, добавлен 05.12.2014

  • Мезонные обменные токи при электромагнитных переходах в ядерных системах. Расчет вероятности магнитного дипольного перехода в ядре, углового распределения неупруго рассеянных электронов при возбуждении ядерного уровня с учетом мезонных обменных токов.

    статья, добавлен 14.11.2013

  • Расчёт напряжения на входе цепи. Определение сопротивления на ветвях, по модулю и по всей цепи. Расчёт общего тока от источника и напряжения на участках, проверка суммы токов по закону Кирхгофа и суммы напряжений на отдельных ветвях, баланса мощностей.

    задача, добавлен 18.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.