Методы контроля в производстве интегральных микросхем
Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
Подобные документы
Условия эффективного использования интегральных операционных усилителей со специальными элементами обратной связи, формирующими амплитудно-частотную характеристику. Этапы и подходы к разработке архитектуры интегральных усилителей, их использование.
статья, добавлен 30.05.2017Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012- 105. Приемные устройства
Определение ширины спектра сигнала и полосы пропускания приемника. Выбор промежуточной частоты и структуры преселектора на одиночных и двух связанных колебательных контурах. Выбор селективной системы тракта промежуточной частоты и интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017 Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018- 107. Разработка вещательного приёмника, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией
Расчет полосы пропускания преселектора. Выбор структуры его каскадов, числа избирательных контуров, типа аналоговых интегральных микросхем. Определение избирательной системы тракта промежуточной частоты. Электрическая принципиальная схема приемника.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014 Принцип работы, основные характеристики и методики наладки транзисторных реле на интегральных микросхемах. Назначение и технические параметры устройства защиты от однофазных замыканий, дифференциальной защиты различных типов, промежуточных реле.
методичка, добавлен 30.10.2015Современное производство высококачественных микроэлектронных изделий. Обоснование необходимости учета контактных сопротивлений при контроле качества изготовления интегральных схем (ИС). Анализ технологических процессов изготовления тонкопленочных ИС.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Описание схемы ждущего и автоколебательного мультивибраторов со стабилизацией временных параметров импульсов с помощью отрицательной обратной связи. Построение мультивибраторов на интегральных микросхемах ТТЛ. Диаграммы автоколебательного мультивибратора.
статья, добавлен 13.04.2014Электрические связи в матричных интегральных схемах. Разработка технологического маршрута изготовления базовых матричных кристаллов. Разработка эскизного ТП с использованием программы SSUPREM-3. Оптимизация блока формирования спейсеров, базы стабилитрона.
дипломная работа, добавлен 09.01.2011Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Разработка структурной, принципиальной и функциональной схемы микропроцессорной системы контроля температуры нефти на выходе. Блок-схема управляющей программы. Принципы работы, основные характеристики микросхем, расчет потребляемой мощности системы.
курсовая работа, добавлен 12.03.2015Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012История развития информатики. История развития идеи создания вычислительной, электронновычислительно и компьютерной техники. Изобретение транзисторов и интегральных микросхем. Первые попытки создания компьютера. Apple и IBM компьютеры. Создание Интернет.
реферат, добавлен 12.11.2008Структурная схема пятиканального устройства контроля и регулирования температура объекта. Программируемый контроллер прямого доступа к памяти. Характеристика различных микросхем и температурного датчика. Усилитель, выполненный на базе транзистора.
курсовая работа, добавлен 31.07.2015- 119. Металлооксидные чувствительные элементы интегральных датчиков концентраций водородсодержащих газов
Повышение селективности детектирования водородсодержащих газов металлооксидными чувствительными элементами интегральных датчиков. Влияние амплитуды и профиля нагрева на характер отклика газочувствительного слоя, легированного разными катализаторами.
автореферат, добавлен 02.08.2018 - 120. Интегральные схемы
Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016 Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Структурное проектирование и анализ исходных данных. Функциональное проектирование и блок управления. Генератор тактовых импульсов и тестовых последовательностей. Схема сравнения, контроля и индикации. Разработка электрической принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 02.06.2014Реализация задач логического синтеза узлов и блоков цифровых ЭВМ на интегральных микросхемах. Структурная детализация блока памяти автомата. Синтез логического преобразователя, выбор элементной базы. Минимизация логических уравнений с помощью карт Карно.
курсовая работа, добавлен 18.05.2017