Выпрямительные диоды. Основные характеристики, параметры ВАХ, основные схемы включения
Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
Подобные документы
Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Блок-схема однофазного источника вторичного питания. Анализ технического задания и разработка принципиальной схемы. Расчёт стабилизатора, сглаживающего фильтра и выпрямителя. Состав и основные параметры выпрямителей. Основные параметры вентилей в схемах.
контрольная работа, добавлен 14.01.2015Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Принципы работы выпрямителей, сфера применения устройств. Способы их классификации по ряду признаков. Типовые схемы выпрямителей. Характеристика и разновидности выпрямителей: принципиальные схемы, особенности их работы, достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 10.09.2012Понятие тиристора, его основные свойства и принцип работы. Параметры тиристоров и его основные типы: тиристор-диод, динистор, симистор, фоторизистор, инвесторный и запираемый тиристор. Их роль, характеристики и особенности применения в радиоэлектронике.
реферат, добавлен 19.02.2016Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Назначение усилителя воспроизведения, теоретические основы звукозаписи. Подъём амплитудно-частотных характеристик головок в области низших частот. Электрические параметры микросхемы. Предельно допустимые режимы эксплуатации, типовая схема включения.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.
статья, добавлен 29.07.2016Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Выпрямительные приборы как комбинированные измерители постоянного и переменного тока и напряжения. Характеристика амперметров и вольтметров ВС как элементов магнитоэлектрической системы. Создание электроизмерительных цепей с выпрямительным прибором.
контрольная работа, добавлен 02.12.2015Состав базового микропроцессорного комплекта серии КР580, его основные параметры. Операции, задаваемые управляющими сигналами программируемого параллельного интерфейса. Основные электрические параметры микросхемы КР580ВВ55, ее графическое обозначение.
реферат, добавлен 26.10.2015Общие принципы построения выпрямительных устройств. Классификация полупроводниковых выпрямителей. Двухполупериодная схема со средней точкой (схема Миткевича). Трехфазная мостовая схема (схема Ларионова). Кривая тока вторичной обмотки трансформатора.
реферат, добавлен 06.05.2022Фильтры и их основные параметры. Нормирование исходных данных для расчета фильтров. Табличный метод расчета пассивных LC-фильтров. Типовые схемы фильтров и параметры их элементов. Расчет активных фильтров, построенных на операционных усилителях.
методичка, добавлен 02.04.2016Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016