Моделювання Х-променевих топографічних зображень дефектів у реальних кристалах Si
Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
Подобные документы
Фізичні процеси, що протікають на границях розділу твердотільних фаз при імплантації різних домішок. Механізм прискореної дифузії в кремнії та їх кластеризації за рахунок додатково введених точкових дефектів з наступними температурними обробками.
автореферат, добавлен 05.08.2014Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості та преципітації кисню у монокристалічному і ниткоподібному кремнію, попередньо опроміненому нейтронами та легованому ізовалентними домішками. Рентгеноструктурні дослідження кристалів після термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття дифракції світла. Ознайомлення з прозорою дифракційною граткою. Визначення довжини хвилі джерела світла, роздільної здатності оптичних приладів, інтенсивності дифракційних максимумів. Визначення дифракції Фраунгофера на одній щілині та на гратці.
практическая работа, добавлен 16.07.2017Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості монокристалічного і ниткоподібного кремнію, зумовлених термічними дефектами та інтерпретація виявлених ефектів. Дослідження магнітних властивостей рентгеноструктурні кристалів після їх термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2015Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Аналіз рівняння взаємодії моно- і поліхроматичного рентгенівського променя з речовиною об’єкта з врахуванням можливих спотворень отримуваних проекційних даних. Дослідження залежності значення функції тривимірного зображення від проекційних даних.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка модифікованої динамічної дифракційної моделі для аналізу високороздільних спостережень складних дефектних структур в реальних монокристалах. Встановлення природи чутливості кривих дифракційного відбиття до характеристик декількох типів дефектів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розроблення методики комп`ютерної побудови зображень поверхонь з дефектами в атомно-силовому мiкроскопi в режимах постiйної сили i висоти сканування. Вивчення впливу радiуса вiстря i режимiв на роздiльну здатнiсть, контраст зображень та висоти зближення.
автореферат, добавлен 15.07.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вимірювання рельєфу та радіооптичних параметрів поверхні планети за даними її некогерентних зображень в оптичному масштабі та радіодіапазоні. Вимоги до основних підходів при постановці задачі. Можливі похибки визначення параметрів для карт рельєфу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014- 42. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 - 43. Розробка методів кількісного аналізу металографічних зображень в інформаційно-вимірювальних системах
Методи обробки та розпізнавання металографічних зображень в автоматизованих експертних ІВС. Модель зображень та алгоритми виділення структурних елементів (зерен феритів, перлітів, тріщин, утоми, зламів), які ґрунтуються на теоретико-множинному підході.
автореферат, добавлен 30.07.2014 - 44. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Методи оптичної обробки інформації. Виявлення, із залученням моделі дифракційних явищ Юнга-Рубіновича, нових інформативних можливостей голографічного методу та перспективи застосування способу формування контурних зображень за юнгівськими голограмами.
автореферат, добавлен 07.01.2014Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Оцінка розвитку півеліптичних корозійно-втомних тріщин у живильному трубопроводі енергоблоків залежно від форми наявних початкових дефектів. Схематизація розвитку тріщиноподібного дефекта стінки труби, діагностичний огляд корозійно-механічних дефектів.
статья, добавлен 17.12.2013Розробка алгоритмічної нейронної мережі. Обробка медичних магніторезонансних та ультразвукових зображень з метою отримання їх текстурних характеристик захворювань. Аналіз біоелектричних вимірювань, сегментації томографічних магніторезонансних зображень.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014