Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти
Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
Подобные документы
Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження впливу магнітодомішкових станів електронів у нормальних металах, напівметалах і вироджених напівпровідниках на властивості спіральних і магнітоплазмових хвиль. Розрахунок характеристик нових типів хвиль: поляризації, спектру і швидкості.
автореферат, добавлен 05.01.2014Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Процес вивчення на прикладі дію закону Ома, характеристика залежності режимів роботи кола від величини опору. Формула розрахунку потужності резистора. Визначення залежності зміни струму від величини напруги. Порядок побудови схеми, підготовка обладнання.
лабораторная работа, добавлен 07.12.2013- 105. Фізика твердого тіла
Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014 Прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах. Дослідження спектру ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об'ємі на провідних підкладках.
автореферат, добавлен 28.06.2014Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2012Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016- 111. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Розрахунок поверхні Фермі двох металів: натрію і магнію. Обчислення енергії Фермі цих металів, швидкість електронів на поверхні, хвильовий вектор поверхні Фермі. Графіки залежностей енергії Фермі від кількості валентних електронів та від об’єму порожнеч.
курсовая работа, добавлен 01.09.2015Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження взаємодії прямолінійних квазінейтральних нерелятивістських електронних потоків з напівпровідниковими хвилеведучими структурами круглого й прямокутного перерізів. З'ясування можливості нестійких станів власних хвиль просторового заряду.
автореферат, добавлен 28.08.2014Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 118. Процеси парних зіткнень повільних електронів, іонів та збуджених атомів з атомами та молекулами
Встановлення закономірностей процесу утворення атомів та молекул у метастабільних станах при їх взаємодії з електронами та іонами низьких енергій. Дослідження явища ізотопного ефекту при однократній та дисоціативній іонізації молекул електронним ударом.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017- 121. Процеси утворення позитивних і негативних іонів молекул цитозину, тиміну, урацилу електронним ударом
Дослідження процесів іонізації молекул азотистих основ нуклеїнових кислот. Створення експериментальної мас-спектрометричної установки. Розробка джерела молекулярного пучка. Встановлення перебігу процесів іонізації у молекулах цитозину, тиміну, урацилу.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Класифікація речовин за здатністю проводити електричний струм. Виникнення надпровідності у металах при охолодженні. Визначення основних відмінностей напівпровідників від провідників. Матеріали та речовини-діелектрики. Керування електропровідністю.
презентация, добавлен 30.10.2019Фізичні властивості металів. Електрична провідність та значення потенціалу іонізації. Зміни в будові кристалічної решітки. Процес хімічного руйнування металів під дією навколишнього середовища. Зменшення електричної провідності з ростом температури.
реферат, добавлен 03.04.2016Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014- 125. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів матеріалів ІV та АІІІ ВV груп
Особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих розчинів германій-кремній. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів та їх зміни в результаті різних обробок поверхні (механічна, опромінення).
автореферат, добавлен 27.07.2014