Полевые транзисторы
Транзистор с каналом р-типа. Входное сопротивление полевого транзистора. Определение коэффициента усиления усилителя. Влияние отрицательной обратной связи. Зависимости энергии электрона от координаты. Схематичные изображения МОП с индуцированным каналом.
Подобные документы
Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Характеристики основных типов усилителей. Точность усиления сигнала постоянного тока для усилителя с токовой обратной связью. Тепловое время установления в зависимости от частоты и формы сигнала. Скорость нарастания выходного напряжения у усилителя.
статья, добавлен 25.04.2017Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя на основе математических моделей и экспериментальных измерений. Амплитудная характеристика работы усилителя низкой частоты. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014- 108. Основы схемотехники
Определение принципов усиления сигналов и построения усилителей. Оценка основных технических показателей и характеристики аналоговых электронных устройств. Обеспечение режима работы транзистора при включении по схеме. Режимы классов работы усилителя.
курс лекций, добавлен 08.10.2017 Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 25.08.2013Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Определение коэффициента интермодуляции 3-го порядка, коэффициента разложения ортогональных полиномов, параметра нелинейности и уровня интермодуляционной составляющей. Поиск величин, позволяющих оценить ослабление полезного сигнала для транзистора 2П601А.
контрольная работа, добавлен 18.10.2017- 114. Микромощный избирательный усилитель в элементном базисе радиационно-стойкого техпроцесса АБМК_1_3
Базовые схемы микромощного избирательного усилителя. Применение полевого транзистора управляющим p-n переходом. Схемы избирательного усилителя с высоким затуханием выходного сигнала в диапазоне низких частот. Схема техпроцесса АБМК_1_3 в среде PSpice.
статья, добавлен 30.05.2017 Расчёт интегрирующего операционного усилителя с выходным усилительным каскадом на транзисторах. Определение мощности, которая выделяется на нагрузке, тока и величины напряжения питания. Выбор транзисторов. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Генераторы прямоугольных импульсов. Формирование импульсов заданной длительности. Допустимый коэффициент нестабильности исходного режима. Входное сопротивление каскада. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя. Параметры операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 24.06.2013Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Использование усилителей электрических колебаний различных видов с сохранением формы. Назначение совокупности каскадов и согласующего устройства. Схема стабилизации с отрицательной обратной связью по постоянному току, расчёт шумовых свойств транзистора.
реферат, добавлен 28.11.2010Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Описание электрической схемы усилителя мощности звуковых частот с крайне глубокой отрицательной обратной связью. Зависимость перегрузочных характеристик, уровней нелинейных искажений от фазы сигнала. Определение скорости нарастания выходного напряжения.
реферат, добавлен 14.12.2016Осуществление выбора типов интегральных схем и транзисторов. Определение потерь площади усиления при эммитерной коррекции по сравнению с простой коррекцией. Определение соответствия параметров спроектированного усилителя требованиям технического задания.
курсовая работа, добавлен 02.01.2021Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015