Модифікація структурних характеристик поверхні (001) кремнію в мікроелектронній технології
Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
Подобные документы
Аналіз впливу технологічних факторів електронно-променевої обробки на властивості тонких поверхневих шарів підкладок з оптичного скла. Розробка методу еліпсометричного експрес-контролю якості поверхні модифікованих плат при їх серійному виробництві.
автореферат, добавлен 25.06.2014Залежність ефективності іммобілізації олігонуклеотидів на поверхні наночастинок золота, стабілізованих цитрат-іонами, від іонної сили середовища, температури та часу іммобілізації. Головні процеси, що проходять при підвищенні іонної сили середовища.
статья, добавлен 29.07.2016- 78. Теоретичне дослідження кристалічної будови і електронної структури йонного провідника La0.5Li0.5TiO3
Дослідження атомної і електронної структури літієвих провідників. Кристалічна структура та фізичні властивості йонних провідників La(2-x)/3LixTiO3. Розрахунок залежності числа літієвих вакансій від концентрації йонів літію при різних температурах.
автореферат, добавлен 28.09.2015 Методи комп'ютерного моделювання рідкокристалічних та полімерних систем. Класично-механічні моделі явища фотоіндукованої деформації в азобензиновмісних полімерах та встановлено їх мікроскопічні механізми в плівках із різною молекулярною топологією.
автореферат, добавлен 25.07.2015Особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметру. Вигин квантових дротів. Локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Процес керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах.
статья, добавлен 23.12.2016Здійснення перевірки рівномірності зношування вітрових електроустановок шляхом комп'ютерного імітаційного моделювання. Дефініція необхідного набору ввімкнених вітряних електростанцій у даний час. Розрахунок вагових коефіцієнтів за допомогою методу Сааті.
статья, добавлен 22.03.2016Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження тонкої структури меж зерен і двійників, міжкластерних меж, вільних поверхонь у металах і сплавах. Метод розрахунків структурних і енергетичних характеристик поверхонь поділу. Зв'язок структури і енергії ядер меж зерен з параметрами межі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз динаміки крутих гравітаційних хвиль на поверхні рідини в межах канонічної моделі гідродинаміки. Розробка спектрального методу розрахунку стаціонарних періодичних хвиль у випадку нескінченної глибини. Знайдення нового сімейства сингулярних хвиль.
автореферат, добавлен 29.07.2014Побудова нелінійних нелокальних моделей динаміки середовищ, що релаксують, на основі фундаментальних принципів та їх застосуванні до опису когерентних хвильових структур. Теоретико-групові та якісні дослідження гідродинамічних моделей без релаксації.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження перебудови геометрії сферичних фронтів підводної хвилі сильних розривів та зміни імпульсу, що переноситься ними, при подоланні хвилею пружного екрану. Аналіз алгоритму комп’ютерного моделювання основних явищ дифракції хвиль сильних розривів.
статья, добавлен 28.02.2017Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Вивчення процесу створення гомоклінічної структури. Аналіз автофазування частинок у полі електромагнітної хвилі. Виникнення стохастичної нестійкості. Побудова нелінійної самоузгодженої теорії збудження хаотичних коливань. Дослідження динаміки променів.
автореферат, добавлен 24.08.2014Розробка методів та спеціалізованого стенду для радіаційних випробувань кабельних виробів, призначених для використання на об’єктах атомної енергетики. Дослідження нових типів сигнальних кабелів внутрішнього реакторного контролю атомної електростанції.
статья, добавлен 08.10.2013- 92. Енергетичний спектр та кінетичні властивості низьковимірних електронних систем над рідким гелієм
Встановлення виду гамільтоніану взаємодії поверхневих електронів з неоднорідностями дна плівки гелію на твердій підкладці. Кінетичні властивості квазідво- і квазіодновимірної електронних систем, створених з використанням властивостей поверхні гелію.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Вивчення процесів, протікаючих на поверхні в газовій фазі графітової печі, при атомізації проби. Порядок аналізу особливостей комп'ютерного розрахунку температури газової фази для порожнистої печі та для випадку дозування проби на піролітичну платформу.
автореферат, добавлен 24.02.2014Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Розрахунок конфігурацій вакансійного дефекту на поверхнях Si(100)-2Ч1 і Ge(100)-2Ч1 при різному ступені покриття поверхні воднем. Встановлення механізмів адсорбції і десорбції атомів водню на поверхнях. З’ясування ролі поверхневих дефектів у цих процесах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Розв’язання задачі реконструкції розподілення поверхневих провідностей по виміряним напругам по обводу контуру фантома. Велика розмірність систем рівнянь математичної моделі фантома і процедури реконструкції. Алгоритм прискорення ітераційних обчислень.
статья, добавлен 27.07.2016Вимірювання рельєфу та радіооптичних параметрів поверхні планети за даними її некогерентних зображень в оптичному масштабі та радіодіапазоні. Вимоги до основних підходів при постановці задачі. Можливі похибки визначення параметрів для карт рельєфу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Механізми руйнування крихких та пластичних матеріалів. Вплив дислокаційної структури на процеси деформації та руйнування при навантаженні. Особливості розтріскування високопористих керамічних матеріалів. Динаміка структурних перетворень в кристалі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження методики аналізу структури металевого модифікованого поверхневого шару (нітридів та зони твердого розчину азоту в основі), з азотуванням в тліючому розряді. Концептуальні підходи до визначення ширини окремих фазових структур та шару в цілому.
статья, добавлен 27.07.2016