Пробой p-n перехода
Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
Подобные документы
Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Методы поиска неисправностей. Назначение и составные части аппарата для терапии постоянным электрическим полем. Проверка работоспособности радиоэлементов с помощью контрольно-измерительных приборов. Проверка и замена конденсаторов, диодов, тиристоров.
дипломная работа, добавлен 14.06.2017- 103. Электронные приборы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015 Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Разработка УКВ радиоприемника частотной модуляции прямого преобразования на микросхеме К174ПС1. Расчет приемного устройства, выбор промежуточной частоты и параметров избирательной системы тракта ВЧ. Вычисление затрат на производство единицы продукции.
дипломная работа, добавлен 17.05.2011Визначення та характеристика основних принципів організації прямих цифрових синтезаторів. Розгляд і аналіз специфіки та можливостей застосування синтезаторів прямого цифрового синтезу для побудови телекомунікаційних систем з різними видами модуляції.
статья, добавлен 23.01.2018Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Классификация измерительных приборов и методы контроля температур. Описание принципа бесконтактного метода измерения температуры. Термометры расширения и электрического сопротивления. Манометрические и термоэлектрические термодатчики, их использование.
курсовая работа, добавлен 14.03.2017Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Физические механизмы объемного заряжения диэлектрика при облучении электронами энергиями от 1 до 10МэВ. Описание вычислительных программ DICTAT и GEANT 4, методы моделирования ускорения частиц. Расчет возникновения электрического пробоя в диэлектрике.
курсовая работа, добавлен 25.06.2017Использование источников постоянного напряжения. Однофазный двухполупериодный выпрямитель. Параметрические стабилизаторы постоянного напряжения. Дифференциальное сопротивление диода в рабочей точке. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
лекция, добавлен 04.10.2013Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Принцип работы преобразовательного устройства. Система автоматического регулирования. Параметры стабилизатора, катушки индуктивности в среде Matlab. Подбор диода и транзистора. Режим прерывистых токов. Анализ регулировочной характеристики стабилизатора.
курсовая работа, добавлен 26.12.2014- 116. Расчет длин шлейфов
Определение длин шлейфов МПЛ, расстояния между диодами в схеме модулятора, эффективной диэлектрической проницаемости и фазовой скорости. Расчет АЧХ модулятора. Зависимость квадрата коэффициента передачи от частоты. Шунтирующее влияние диодов на линию.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013 Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Перемещение массивных или крупногабаритных грузов, точная сварка, покраска и сортировка продукции - основные задачи промышленных роботов. Методика разработки печатной платы. Схема подключения фотоимпульсного датчика. Выбор конденсаторов и диодов.
курсовая работа, добавлен 31.05.2015Прямой цифровой синтез, его схема, область применения, значение. Параметры цифро-аналоговых преобразователей: статистические (разрешающая способность, погрешность полной шкалы и смещения нуля, нелинейность) и динамические. Шумы и причины их появления.
реферат, добавлен 14.02.2009Пороговое устройство как неотъемлемый макроэлемент импульсных генераторов, его значение в процессе формирования перепада напряжения, когда входное напряжение достигает порога срабатывания. Диаграмма состояний таймера, принципы и этапы ее построения.
лекция, добавлен 04.10.2013Особенности появления электрохимического пробоя изоляции, которое происходит по причине протекания химических реакций в изоляционном слое, скорость которых увеличивается при подведении дополнительной тепловой энергии. Объемные плотности тепловыделения.
статья, добавлен 27.09.2012- 122. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014 Методы расчета частотных характеристик входного сопротивления электрической цепи, определение импульсных воздействий на нее. Моделирование заданной цепи с помощью программы Electronic Workbench. Анализ метода контурных токов и схемы их изменений.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Изучение использования пакетов прикладных программ (Pspice, Orcad) при моделировании импульсных преобразователей с многотактным принципом функционирования (автономные инверторы напряжения с импульсной модуляцией, корректоры коэффициента мощности).
статья, добавлен 23.12.2017Формирование, обработка и передача электрических импульсных сигналов и перепадов напряжения и тока. Принцип действия семисегментного дешифратора. Разработка принципиальной и структурной схемы цифрового счетчика импульсов. Расчет и описание блока питания.
курсовая работа, добавлен 19.10.2015