Термостимулированная проводимость в монокристаллах TlIn0.97Dy0.03Se2
Обоснование необходимости, значение поиска и исследования новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. Место двойных, тройных и более сложных халькогенидов среди обширного класса соединений с участием редкоземельных материалов.
Подобные документы
Изучение оптических свойств монокристаллов. Преимущества применения халькогенидов редкоземельных элементов в квантовой электронике. Исследование коэффициента теплопроводности материалов на основе полуторных сульфидов и теллуридов лантана, празеодима.
статья, добавлен 07.12.2018Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Виды электропроводности: электронной, ионной и дырочной. Электрическая проводимость различных материалов, газов, электролитов, плазмы. Характеристика диэлектриков, явление сверхпроводимости. Состояние основных механических и оптических свойств веществ.
контрольная работа, добавлен 20.10.2010Получение новых стеклокерамических материалов на основе фторофосфатных стекол, содержащих высокие концентрации редкоземельных фторидов. Влияние концентрации редкоземельных фторидов на процесс кристаллизации и возможность выделения нанокристаллов.
статья, добавлен 30.11.2018Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Исследование люминесценции органических соединений, особенностей люминесценции комплексных соединений редкоземельных элементов (КС РЗЭ). Рассмотрение практического применения последней. Описание синтеза разнолигандного комплекса тербия (РЛК тербия).
курсовая работа, добавлен 03.05.2019Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Сопротивление материалов как часть более общей науки – механики твердого деформируемого тела. Исследование способности элемента конструкции сопротивляться воздействию приложенных к нему сил не разрушаясь. Схематизация геометрии реального объекта.
презентация, добавлен 26.03.2020Комплексное изучение взаимодействие вещества с электромагнитным излучением. Переходы между уровнями в молекулах. Коэффициент поглощения и отражения. Спектроскопия в УФ и видимой области для исследования материалов. Измерение спектров в режиме пропускания.
презентация, добавлен 28.11.2016Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Исследования энергетического спектра электронов "встряски" при внутренней конверсии перехода. Изучение изменений эффективного заряда ядра при распадах или переходах во внутренних оболочках. Измерение временных спектров в двойных и тройных совпадениях.
статья, добавлен 24.09.2013Изучение рассеивания излучения на объекте методом исследования структуры материалов. Описание процесса распределения электронной плотности в элементарной ячейке кристалла бензола спроецированное на плоскость. Открытие структуры нуклеиновых кислот.
статья, добавлен 15.03.2014Описание работы механизма: обоснование выбора посадок соединений, расчет характеристик посадок для соединений и исполнительных размеров системы калибров. Обоснование класса точности подшипника качения и расчет характеристик посадок его на вал и отверстие.
курсовая работа, добавлен 25.04.2015Теплофизические и механические характеристики материалов. Диэлектрическая проницаемость материалов. Диэлектрическая проницаемость и электрические поля в диэлектриках. Устройства и методы неразрушающего контроля. Электрофизические методы исследования.
методичка, добавлен 01.09.2017Проблемы энергоэффективности РФ и пути их решения. Применение современных качественных теплоизоляционных материалов (пенополистирол) и строительных материалов с более низкой теплопередачей. Использование тепловых солнечных коллекторов, солнечных батарей.
статья, добавлен 31.07.2018Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Методология создания установки для исследования комплекса физических свойств металлов, бинарных и многокомпонентных материалов. Особенности методики изучения диаграмм состояния высокотемпературных оксидных систем. Анализ многокомпонентных материалов.
автореферат, добавлен 08.02.2018Обоснование эффективности использования в качестве сенсоров при детектировании 3,4-бензпирена, так называемых нанофотонных устройств на базе полупроводниковых наноразмерных материалов – квантовых точек (КТ), выполняющих роль детекторных элементов сенсора.
статья, добавлен 19.06.2018Знакомство с основными задачами и методами сопротивления материалов. Срединная поверхность как особое геометрическое место точек, равноудаленных от внешней и внутренней поверхностей оболочки. Общая характеристика способов расчета стержневых систем.
доклад, добавлен 08.04.2021Комбинирование различных веществ как основной способ создания новых материалов. Прогнозирование механического поведения гетерогенных сред на примере "трехфазной модели". Принцип эквивалентной гомогенности. Модель среды с малой объемной долей включений.
дипломная работа, добавлен 17.02.2012