Надежность в полупроводниковых элементах
Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
Подобные документы
Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.
учебное пособие, добавлен 09.12.2013Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Проведение ускоренных испытаний на усталость нового материала в условиях циклического нагружения. Определение основных показателей безотказности образцов из нового материала. Оценки числовых характеристик отказов выборки. Функция плотности распределения.
контрольная работа, добавлен 17.10.2017Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Надежность как один из параметров радиоэлектронной аппаратуры, ее зависимость от надежности используемой элементной базы, принятых схемотехнических и конструкторских решений. Эксплуатационные свойства изделий с позиций обеспечения надежной работы.
реферат, добавлен 15.11.2018Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Сравнительная характеристика существующих устройств измерения качества электроэнергии. Проектирование элементной базы устройства; выбор шага установки ИМС. Определение теплового режима работы устройства, расчет основных параметров надежности его работы.
курсовая работа, добавлен 19.10.2010Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017