Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів
Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
Подобные документы
Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
автореферат, добавлен 29.04.2014Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.
статья, добавлен 20.09.2018Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Исследование зарядовых и частотных свойств гетероструктур. Разработка сложных систем с применением ЭВМ. Иерархическая структура и состав низовых функционально завершенных звеньев. Декомпозиция структуры ранее разработанных систем до низовых звеньев.
реферат, добавлен 01.08.2009Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Критичні, резистивні та високочастотні властивості тонких епітаксійних надпровідних плівок. Особливості механізму росту плівок YBCO та утворення специфічної наноструктурної мережі дислокаційних меж доменів. Механізми протікання надпровідного струму.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження діелектричних та напівпровідникових властивостей монокристалів молібдату свинцю. Вивчення особливостей переносу зарядів у сталому та низькочастотному електричному полі. Основні закономірності фотодіелектричного ефекту у молібдаті свинцю.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Разработка технологии изготовления гибридных гетероструктур с прослойкой магнитоактивного материала из манганитов на основе эпитаксиальных сверхпроводящих металлоксидных пленок. Исследование многоэлементных джозефсононовских структур на постоянном токе.
автореферат, добавлен 29.10.2018- 45. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Фазовий склад і процеси взаємної дифузії у двошарових плівкових системах, які є фрагментами спін-вентильних структур. Коефіцієнти конденсаційно-стимульованої та термічної дифузії. Магніторезистивні та магнітооптичні властивості плівкових систем.
автореферат, добавлен 09.04.2016Емпіричні формули розрахунку температурних залежностей диференційної термо-ЕРС КМ Fe-Ag для композиційних матеріалів з феромагнітними компонентами. Особливості залежностей в області температур, що передують точці Кюрі спонтанною намагніченістю зразків.
автореферат, добавлен 28.08.2014Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Евтектичні співвідношення у сплавах MeІB6 - МеІІВ2 та вплив відхилення від них на морфологію, досконалість структури та механічні властивості композиційних матеріалів. Кристалоорієнтаційні співвідношення між матричною та армуючою фазами матеріалів.
автореферат, добавлен 10.09.2014