Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем
Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
Подобные документы
Дослідження шляхів впровадження технології блокчейн в державному управлінні, визначення потенційних переваг і проблем використання цієї технології у державному секторі та найкращих методів її впровадження. Аналіз сфер використання технології блокчейн.
статья, добавлен 18.12.2023Порівняльний аналіз структур і системних характеристик процесорів цифрової обробки та формування даних. Формалізація операцій й розробка цифрових операційних пристроїв у базисі Крестенсона-Галуа. Розробка та імплементація високошвидкісного RCG–процесора.
автореферат, добавлен 14.09.2014Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019- 30. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження вимірювального перетворювача температури автогенераторного типу на основі реактивних властивостей напівпровідникових структур з покращеними параметрами. Вплив температури на компоненти малосигнального імпедансу біполярного транзистора.
статья, добавлен 23.12.2018Розроблення конструкції вертикального МОН-транзистора керованого малопотужним сигналом з р-каналом, який дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізація технологічних методів одержання перемикальних МОН-структур з подвійною дифузією.
автореферат, добавлен 04.03.2014Основные тенденции развития поглощающих материалов. Результаты расчета диаграмм рассеяния и отражения многослойных структур. Расчет оптимальных параметров структур для наблюдения наибольшего эффекта поглощения. Анализ теоретических полученных расчетов.
статья, добавлен 29.07.2017Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018- 36. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Розробка структур високоточних швидкодіючих самокаліброваних аналого-цифрових перетворювачів порозрядного врівноваження з перерозподілом заряду, зменшення статичних похибок. Розробка та оцінка рекомендацій щодо проектування АЦП з перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2013Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 29.08.2013Описание действия полосовых и узкополосных фильтров заграждения с управляемыми амплитудно-частотными характеристиками и широкополосных малогабаритных согласованных нагрузок как новых типов функциональных брэгговских структур для радиоэлектроники.
статья, добавлен 02.04.2019Классификация логических структур систем мониторинга многофункциональных сетей обработки данных по основным признакам и аналогии с нотациями систем массового обслуживания. Матрица парных сравнений второго уровня. Пример реализации систем разных типов.
статья, добавлен 18.07.2013Поняття тунелювання хвиль. Аналіз традиційного та імпедансного методів моделювання квантово-розмірних структур на прикладі несиметричного потенціального бар’єра. Аналіз особливостей тунелювання та встановлення умов узгодженого надбар’єрного проходження.
статья, добавлен 13.02.2016Дослідження структур інтегрованих відомчих мереж зв'язку. Створення нових моделей двофазних систем обслуговування і оптимальної оцінки параметрів сигналів у системах абонентського радіодоступу. Обґрунтування доцільності реалізації запропонованих структур.
автореферат, добавлен 15.01.2016Основные характеристики антенн и их классификация. Излучение антенных решеток. Анализ перспективных антенных структур. Возможные методы синтеза антенных фрактальных структур. Свойства фрактальных антенн. Примеры фрактальных антенн и их применение.
курсовая работа, добавлен 07.05.2012Аналіз радіовимірювальних перетворювачів температури, тиску, магнітного поля, оптичного випромінювання та систематизація відомих теоретичних підходів, покладених в основу їх побудови. Розроблення математичних моделей перетворювачів, та їх перевірка.
автореферат, добавлен 24.06.2014Виявлення особливостей протікання дифузійно-дрейфових процесів у елементах інтегральних p-i-n-структур під дією НВЧ полів. Побудова математичних моделей проходження електромагнітних хвиль через інтегральні структури в одно- і багатомодових лініях передач.
автореферат, добавлен 24.06.2014Інформаційна сфера як рушій розвитку постіндустріального суспільства. Її вплив на стан економічної, політичної, оборонної складових безпекового комплексу. Інформаційно-комунікативні технології, інформаційна безпека на регіональному і національному рівнях.
статья, добавлен 26.07.2024Возможность выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии структур с квантовыми ямами с двумя активными областями, каждая из которых обладает чувствительностью в области спектра. Анализ приемников, осуществляющих прием сигналов в спектральных областях.
статья, добавлен 26.01.2017Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження процесів розсіяння електромагнітних хвиль складними електродинамічними структурами. Створення електродинамічних та статистичних моделей процесів розсіяння та розробка з їх застосуванням високоефективних методів реконструкції радіозображень.
автореферат, добавлен 05.08.2014