Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
Подобные документы
Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Разработка конструкции источников питания. Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Транзисторы в радиоэлектронных схемах. Расчет выпрямителя и трансформатора. Рассмотрение практической схематики источника питания и стабилитроны.
курсовая работа, добавлен 16.03.2019Спроектирован алгоритм конструирования мультимедийной модели "Крот". Представлен процесс создания мультимедийной визуализационной модели автоматизированного устройства для очистки внутренней поверхности канализационных полимерных труб от загрязнений.
статья, добавлен 06.01.2020Измерительные, механические и электрические элементарные преобразователи. Промежуточные преобразователи. Основные типы полупроводниковых и фотоэлектрических преобразователей электрической энергии. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Градация полупроводниковых электронных агрегатов. Принцип работы устройств, предназначенных для цифрового преобразования аналоговых сигналов с опорным напряжением. Основные характеристики однопороговых, регенераторных и двухпороговых компараторов.
реферат, добавлен 24.12.2014Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Критерии точности, классификация приборных погрешностей и ошибок измерений. Основные этапы точностного расчета оптико-электронных приборов, а также расчет их потенциальной точности. Расчет погрешностей при детерминированных входных воздействиях.
лекция, добавлен 17.11.2018Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Способы охлаждения полупроводниковых приборов. Воздушное, естественное и принудительное охлаждение, испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем. Понятия о законах вентиляции. Расчет параметров охладителей. Российская база силовой электроники.
дипломная работа, добавлен 24.08.2012Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 22.02.2011Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Сравнение моек воздуха различных производителей. Структурная схема системы автоматизированной очистки воздуха. Разработка печатной платы блока управления. Прошивка микроконтроллера Atmega 328P. Анализ проектирования корпуса и тестирование прототипа.
дипломная работа, добавлен 13.07.2020Определение показателей технологичности конструкции приборов. Основные правила построения технологических схем сборки. Разработка технологического процесса сборки. Особенности проектирования технологического оснащения и специализированного оборудования.
реферат, добавлен 03.06.2015Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.
автореферат, добавлен 08.02.2018Характеристики и основные параметры фильтров. Конструирование функций передачи фильтров. Область частот, в которой сигналы пропускаются фильтром. Характер влияния на стабильность активного RC-фильтра. Коэффициенты многопараметрической чувствительности.
лекция, добавлен 04.10.2013Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018