Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий

Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.

Подобные документы

  • Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.

    курсовая работа, добавлен 19.11.2014

  • Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.

    курс лекций, добавлен 11.09.2012

  • Разработка конструкции источников питания. Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Транзисторы в радиоэлектронных схемах. Расчет выпрямителя и трансформатора. Рассмотрение практической схематики источника питания и стабилитроны.

    курсовая работа, добавлен 16.03.2019

  • Спроектирован алгоритм конструирования мультимедийной модели "Крот". Представлен процесс создания мультимедийной визуализационной модели автоматизированного устройства для очистки внутренней поверхности канализационных полимерных труб от загрязнений.

    статья, добавлен 06.01.2020

  • Измерительные, механические и электрические элементарные преобразователи. Промежуточные преобразователи. Основные типы полупроводниковых и фотоэлектрических преобразователей электрической энергии. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

    курсовая работа, добавлен 27.02.2009

  • Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.

    курсовая работа, добавлен 07.12.2012

  • Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.

    дипломная работа, добавлен 07.07.2014

  • Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.

    статья, добавлен 08.04.2019

  • Градация полупроводниковых электронных агрегатов. Принцип работы устройств, предназначенных для цифрового преобразования аналоговых сигналов с опорным напряжением. Основные характеристики однопороговых, регенераторных и двухпороговых компараторов.

    реферат, добавлен 24.12.2014

  • Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.

    реферат, добавлен 08.12.2012

  • Критерии точности, классификация приборных погрешностей и ошибок измерений. Основные этапы точностного расчета оптико-электронных приборов, а также расчет их потенциальной точности. Расчет погрешностей при детерминированных входных воздействиях.

    лекция, добавлен 17.11.2018

  • Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.

    автореферат, добавлен 13.04.2018

  • Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.

    курс лекций, добавлен 23.03.2015

  • Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Способы охлаждения полупроводниковых приборов. Воздушное, естественное и принудительное охлаждение, испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем. Понятия о законах вентиляции. Расчет параметров охладителей. Российская база силовой электроники.

    дипломная работа, добавлен 24.08.2012

  • Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.

    реферат, добавлен 22.02.2011

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.

    курс лекций, добавлен 02.03.2017

  • Сравнение моек воздуха различных производителей. Структурная схема системы автоматизированной очистки воздуха. Разработка печатной платы блока управления. Прошивка микроконтроллера Atmega 328P. Анализ проектирования корпуса и тестирование прототипа.

    дипломная работа, добавлен 13.07.2020

  • Определение показателей технологичности конструкции приборов. Основные правила построения технологических схем сборки. Разработка технологического процесса сборки. Особенности проектирования технологического оснащения и специализированного оборудования.

    реферат, добавлен 03.06.2015

  • Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.

    автореферат, добавлен 08.02.2018

  • Характеристики и основные параметры фильтров. Конструирование функций передачи фильтров. Область частот, в которой сигналы пропускаются фильтром. Характер влияния на стабильность активного RC-фильтра. Коэффициенты многопараметрической чувствительности.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.

    методичка, добавлен 04.10.2012

  • Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.

    статья, добавлен 06.11.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.