Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с n-образными вольт-амперными характеристиками
Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
Подобные документы
Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.
методичка, добавлен 30.03.2016Simourg (Simulator of Usually Requested Geometries) и ее применение для быстрой оценки эффективности и функции отклика детектора по отношению к моноэнергетическим гамма-квантам в области энергий от килоэлектрон-вольт до нескольких мегаэлектрон-вольт.
статья, добавлен 22.08.2013Основные виды и методы электрических измерений. Вычисление погрешности электроизмерительных приборов и определение их классов точности. Методы измерения сопротивления. Характеристики и принцип действия генератора. Преимущества полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 12.12.2013Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Обзор алгоритма моделирования системы электронных приборов методом сверхвысокочастотного излучения неавтономных блоков. Расчет вольт-амперной характеристики волнового нелинейного элемента, являющегося базовым элементом теории электронной волновой цепи.
статья, добавлен 03.04.2018Методика расчета дополнительных потерь мощности, возникающих при нагреве токоведущих частей с учетом электроприемников, имеющих нелинейную вольт-амперную характеристику. Расчет фильтрокомпенсирующего устройства и потерь мощности в трансформаторе.
статья, добавлен 02.02.2019Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Исследование вольт-амперной характеристики с помощью промышленного характериографа TR-4805, формирующего синусоидальный сигнал. Значение напряжений отсечки для исследуемых диодных структур. Особенность формирования двух разно полярных импульсов.
статья, добавлен 02.02.2019Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Изучение электронного конструктора "Знаток" и внедрение его в лабораторную работу. ВАХ (вольт-амперные характеристики) светодиодов, вольт-амперные характеристики по измеренным значениям I и U, расчет сопротивления резистора, гальванического элемента.
статья, добавлен 20.04.2019Результаты исследований традиционных отопительных приборов МС-140, а также газо-водяного теплообменника новой конструкции из параллельно-последовательно соединенных труб. Принцип работы установки. Испытание теплообменника предложенной конструкции.
статья, добавлен 17.08.2018Проблема экономии энергоресурсов. Обязательные и сервисные функциональные возможности приборов. Технические средства для воспроизведения, поддержания и регулирования расхода. Возможность подключения рабочих приборов с различными видами выходных сигналов.
статья, добавлен 27.02.2017Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.
статья, добавлен 16.11.2018Проведение исследования движения неньютоновских жидкостей в трубах. Применение ротационных приборов для измерения вязкости и физико-механических характеристик материалов. Моделирование процесса релаксации давления в сферической полости после опрессовки.
статья, добавлен 17.07.2018Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Разработка математической модели насосной станции, оборудованной центробежными насосами с разными характеристиками, и ее компьютерная реализация. Максимальное сокращение энергопотребления, регулирование насосов с учетом величины статического напора сети.
статья, добавлен 02.12.2018Процесс построения вольт-амперной и световой (люкс-амперной) характеристики и определение удельной чувствительности фотосопротивления. Понятие внутреннего фотоэффекта, его главные функции. Рассмотрение зонной теории твердых тел, основные положения.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2013Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Расчет токов ДТЛ схемы, статические характеристики. Расчет потребляемой мощности схемы. Определение логических уровней U0вых, U1вых по заданным формулам. Схемы измерения входной, передаточной и выходных характеристик ДТЛ-элемента при использовании ПНСХ.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2011