Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)
Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
Подобные документы
Методика розрахунку завдань електропружності за допомогою узагальненого методу Фур’є. Статичні задачі електропружності для п’єзокерамічних тіл з еліптичним включенням та гіперболоїдальною виточкою при різних статичних та електричних навантаженнях.
автореферат, добавлен 15.07.2014Аналіз структурної чутливість границі текучості та граничних механічних характеристик високопористих матеріалів в залежності від параметрів структури твердої фази та морфології порового простору. Особливості механізмів деформації сендвічевих композитів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Структура кристалів. Сполучення елементів симетрії структур. Грати Браве. Кристалографічні категорії, системи та сингонії. Як утворюються розплави. Вирощування монокристалів розплавів. Метод Вернейля, Чохральського. Метод твердофазної рекристалізації.
курсовая работа, добавлен 12.03.2015Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014- 105. Термодинаміка протонної моделі кристалів сім’ї KH2PO4 з тунелюванням і п’єзоелектричною взаємодією
Розробка статистичної теорії фазового переходу і термодинамічних властивостей сегнетоактивних недейтерованих кристалів. Модифікація протонної моделі з короткосяжними і далекосяжними взаємодіями. Отримання температурних залежностей спонтанних поляризації.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Аналіз закономірностей протікання деформаційних процесів при ударному ультразвуковому і низькочастотному навантаженні металів: застосовано підхід до опису пластичної деформації, що базується на термофлуктуаційному подоланні бар'єрів рухомими дислокаціями.
автореферат, добавлен 22.02.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Умови формування в одновимірних магнітних фононних кристалів об'ємних і еванесцентних зсувних пружних хвиль у залежноcті від їхньої частоти та величини проекції хвильового вектора на поверхню. Ефективне збудження типів поверхневих акустичних потоків.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розробка теоретичних положень побудови двокоординатних електромеханічних приводних систем. Дослідження багатоступеневих електромеханічних перетворювачів енергії. Опис методики розрахунку електромашинних параметрів та двокоординатних електричних машин.
автореферат, добавлен 18.11.2013Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015- 114. Комп’ютерне моделювання зображень поверхонь i контактних взаємодiй в атомно-силовому мiкроскопi
Розроблення методики комп`ютерної побудови зображень поверхонь з дефектами в атомно-силовому мiкроскопi в режимах постiйної сили i висоти сканування. Вивчення впливу радiуса вiстря i режимiв на роздiльну здатнiсть, контраст зображень та висоти зближення.
автореферат, добавлен 15.07.2014 - 115. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження та оцінювання впливу неоднорідності деформацій на величину і розподіл електричних та електродних потенціалів на границі контакту металевих тіл з рідкими електропровідними середовищами, а також на розміщення анодних і катодних ділянок.
автореферат, добавлен 22.06.2014Похибка як різниця між виміряним або розрахунковим значенням величини та її дійсним значенням. Зміст випадкових та систематичних помилок, погрішності та точності. Загальний опис електронного осцилографа, цифрових мультиметрів та генератора функцій.
реферат, добавлен 07.03.2011Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Створення методів теоретичного дослідження матеріалів в екстремальних умовах для прогнозу властивостей в стані у важко вимірюваних областях. Розрахунок дисперсійних кривих сильно стиснених кристалів інертних газів в симетричних напрямах зони Бріллюена.
автореферат, добавлен 28.08.2015Кінетика структурних і фазових змін, які відбуваються в умовах високотемпературної надпластичної деформації. Процеси еволюції рідкої фази в умовах високотемпературної надпластичної деформації. Термоактиваційний аналіз високотемпературної надпластичності.
автореферат, добавлен 25.08.2014