Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів
Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
Подобные документы
Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Напрямлений рух заряджених частинок в металах або розчинах деяких речовин. Умови існування електричного струму. Поняття та види провідників. Фізичні властивості металів, зумовлені особливостями будови кристалічних ґраток, міцністю зв’язку, будовою атомів.
презентация, добавлен 02.02.2021Доцільність застосування анодного процесу формування плівок кадмію сульфіду з електроліту на основі органічного апротонного розчинника. Принципова технологічна схема способу одержання тонких полікристалічних стрічок CdS і CdTe електролітичним способом.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Закономірності впливу структури, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічного відпалу, радіаційного опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та їх аналогів. Методика вимірювання теплопровідності тонких плівок.
автореферат, добавлен 11.11.2013Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Залежність структурних оптичних та фотокаталітичних характеристик плівок та порошків TiO2 і TiO2/Fe2O3 від умов одержання та ступеню полімеризації вихідного розчину. Вплив пороутворювача на реологічні властивості вихідних розчинів плівок оксиду титану.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014Теоретичне визначення концентраційно-температурних областей стійкості твердих розчинів титану ізоморфного, а також евтектоідного типів по відношенню до ізоструктурних фазових перетворень та їх можливого впливу на кристалічну будову мартенситних фаз.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей, ефекту Холла та магнітоопору в тонких магнітних плівках сплаву. Метод електронно-променевого випаровування, який застосовується при виготовленні плівок. Дослідження кристалічної структури зразків.
статья, добавлен 23.10.2010Розробка математичної моделі дифузії домішок азоту та їх взаємодії з атомами підґратки миш’яку. Визначення вливу температури нітридизації і величини поруватості підкладок на кристалографічні, морфологічні та оптичні властивості гетероепітаксійних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження особливостей просторової та електронної будови, встановлення закономірностей формування хімічних зв’язків в окислах Ln2Ti2O7 (Ln=Sm-Lu). Виявлення закономірностей формування енергетичних зон валентних станів і характеру хімічних зв’язків.
автореферат, добавлен 29.08.2013Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Фотоелектронні прилади, їх будова, процеси виготовлення та параметри. Закони фотоелектронної емісії та характеристики фотокатода. Електровакуумні, напівпровідникові фотоелементи та фотоелектронні помножувачі, вплив різноманітних факторів на їх параметри.
курсовая работа, добавлен 25.11.2015- 122. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках
Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Вплив просторово-часової неоднорідності щільної плазми на її фізичні властивості. Методика емісійної і абсорбційної томографічної спектрометрії плазми на основі просторової модуляції випромінювання. Умови формування плазмових згустків у газі і вакуумі.
автореферат, добавлен 12.02.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014