Полупроводниковые диоды в электронных схемах
Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
Подобные документы
Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Основное определение, диапазон применения и классификация тиристоров. Обозначение на схемах, принцип работы, модель полупроводниковой структуры и вольтамперная характеристика тиристора. Регулятор напряжения и мощный управляемый выпрямитель на тиристорах.
реферат, добавлен 03.07.2013Понятие и особенности лазерного излучения, виды этих технологических процессов. Газовые и полупроводниковые лазеры, принцип работы магнитно-оптического накопителя. Применение лазеров в военной технике, голографические индикаторы на лобовом стекле.
реферат, добавлен 04.02.2013Сущность управления процессом следования импульсов от источника к нагрузке при передаче электронных сигналов. Осуществление коммутации за счет изменения внутреннего сопротивления. Использование диодов для повышения быстродействия и точности коммутации.
лекция, добавлен 23.07.2013Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015История создания, виды, основные части конструкции и принципы действия трансформаторов. Применение и условия эксплуатации. Закон Фарадея, уравнения идеального трансформатора и обозначение на схемах. Способность устройства выдерживать перенапряжения.
курсовая работа, добавлен 10.07.2010Амплитудный модулятор - прибор, огибающая высокочастотного сигнала, на выходе которого пропорциональна низкочастотному модулирующему колебанию. Первая гармоника тока кусочно-линейной аппроксимации вольт-амперной характеристики нелинейного элемента.
контрольная работа, добавлен 25.05.2014Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018Мероприятия по усилению электроэнергетического режима для снижения рисков обесточения, уменьшения отключенных потребителей, повышения качества энергии в аварийном режиме. Метод усиления электрической схемы в ремонтных схемах с мощными потребителями.
статья, добавлен 14.04.2018Особенности методологии проектирования оптико-электронных систем. Блочно-иерархический метод проектирования. Компьютерное моделирование и его роль при проектировании оптико-электронных систем. Приборы для работы в условиях тропического климата.
курсовая работа, добавлен 17.11.2018Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Порядок исследования вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. Экспериментальные данные по определению барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия.
статья, добавлен 25.03.2016- 65. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Исследование электронных, атомных и молекулярных процессов, происходящих на поверхности твердых тел. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа. Основная область применения СТМ. Изготовление тонких атомногладких острий-зондов и их диагностика.
презентация, добавлен 29.09.2013Нахождение сопротивления резистора по его вольт-амперной характеристике. Проверка закона Ома при последовательном соединении активного, индуктивного и емкостного сопротивлений, резонанс напряжений. Расчет цепей постоянного тока, работа контактора.
методичка, добавлен 17.02.2016Разработка возобновляемых источников электроэнергии. Статические преобразователи напряжения постоянного тока. Облучение полупроводниковой структуры солнечной энергией. Влияние интенсивности излучения на вид вольт-амперной характеристики солнечной батареи.
реферат, добавлен 14.05.2017Описание действия потока электронов в вакууме. Применение вакуумных диодов. Параметры триода: внутреннее сопротивление, коэффициент усиления, крутизна характеристики анодного тока, их характеристика. Достоинства и недостатки четырехэлектродных ламп.
реферат, добавлен 20.09.2014Анализ источников погрешностей в разностных схемах измерения тепловой энергии. Методы их снижения до допустимых значений. Обоснование необходимости разработки методов обеспечения требуемых метрологических параметров водо- и теплоучета в разностных схемах.
статья, добавлен 27.02.2017Изучение сути и назначения управляемых напряжением полупроводниковых конденсаторов переменной емкости. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики варикапа и мгновенное напряжение на варикапе. Схема включения варикапа в колебательный контур генератора.
реферат, добавлен 20.05.2013Применение графического метода расчета нелинейной цепи с несколькими источниками ЭДС. Метод свертки схемы к одному из источников ЭДС. Диаграмма результирующей вольт-амперной характеристики при графическом сложении диаграмм ВАХ ветвей нелинейной цепи.
лекция, добавлен 23.07.2013Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.
презентация, добавлен 27.09.2017