Анізотропія фотолюмінесценції монокристалів Li2B4O7:Cu в поляризованому світлі
Дослідження спектрального розподілу фотолюмінесцеції в залежності від їх кристалографічної орієнтації. Структура головного піка фотолюмінесцеції. Перерозподіл інтенсивності окремих складових піка у поляризованому світлі залежно від орієнтації зразків.
Подобные документы
Виникнення світлоіндукованої орієнтації молекул рідкого кристала на орієнтуючих підкладках, взаємозв’язок орієнтації з анізотропією поверхневого рельєфу. Залежність фотоорієнтації ліотропних хромонічних рідких кристалів від напрямку поляризації світла.
автореферат, добавлен 29.07.2015Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Деформаційна залежність від пружного вигину, повної інтегральної відбивної здатності монокристалів з випадково розподіленими дефектами. Теорія розсіяння випромінювань у кристалах. Характер розподілу дифрагованої інтенсивності у просторі оберненої гратки.
автореферат, добавлен 07.08.2014Аналіз залежності критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Роль фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичного відгуку монокристалів LiB3O5, b-BaB2O4 та Li2B4O7 та вироблення рекомендацій для прогнозування параметрів цих матеріалів. Структура ІЧ спектрів відбивання та спектрів розсіювання монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Температурні залежності інтенсивності та яскравості випромінювання спектрів фотолюмінесценції кристалів ZnS:Mn при різних значеннях концентрації активатора. Аналіз функції помилок при розкладенні інтегральних спектрів за допомогою функції Гауса.
автореферат, добавлен 15.07.2014Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у нових об’єктах – монокристалах тетрабората літію, активованих електроними іонами. Вивчення впливу активації рідкісноземельними елементами монокристалів ТБЛ на їх термостимульовану люмінесценцію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Залежність критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Вивчення впливу анізотропії пружних властивостей на характер хімічного зв’язку та стабільність монокристалів з ґратками типу NaCl, CsCl і CaF2. Визначення ступеня іонних зв'язків лужно-галоїдних кристалів без вимірювання енергетичних параметрів.
статья, добавлен 30.01.2016Вивчення дії механічних напружень підкладки на люмінесцентні властивості сформованого на ній поруватого шару. Дослідження впливу хімічної обробки зразків поруватого кремнію на ефективність їх фотолюмінесценції. Аналіз впливу атмосферного середовища.
автореферат, добавлен 21.11.2013Основні закономірності зміни рівня крихкої міцності та їх критерії. Оцінка параметрів кристалографічної текстури відповідальні за появу анізотропії крихкої міцності попередньо деформованого металу. Фізичні уявлення щодо мікромеханізму крихкого руйнування.
автореферат, добавлен 14.08.2015Встановлення елементарних механізмів рухливості дислокацій в зоні низьких температур на підставі експериментальних даних. Особливості кристалів з високими бар'єрами Пайєрлса. Властивості низькоенергетичного піка в нормальному та надпровідному ніобії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Аналіз систематичних вимірювань одновимірних розподілів дифрагованої інтенсивності в околі вузлів оберненої гратки зразків для монокристалів з простим і складним базисом. Аномальна поведінка когерентних піків, що спостерігається на дифракційних профілях.
автореферат, добавлен 07.08.2014Розробка теоретичних та практичних засад прогнозного керування перетворювачами систем орієнтації електронних платформ. Порівняння станів перемикання розглянутих напівпровідникових інверторів. Моделювання роботи чотириплечового інвертору з нульовою точкою.
автореферат, добавлен 19.07.2015Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Вивчення питання установлення взаємозв'язку фізичних властивостей епітаксійних плівок ферит-гранатів (ЕПФГ) з технологічними факторами, що визначають синтез плівок з анізотропією типу "кутова фаза" на підкладках різної кристалографічної орієнтації.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження спектрів поглинання, фотолюмінесценції, оптичного гашення фотопровідності в неопромінених електронами монокристалах сульфіду кадмію. Методи покращення кристалічної структури при електронному опроміненні сильно дефектних монокристалів.
автореферат, добавлен 15.07.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015Вплив електронно-променевої обробки на зміни морфології та елементного складу покриттів залежно від послідовності і режимів дії низькоенергетичного великострумового електронного пучка. Особливості розподілу складових компонентів покриттів по глибині.
автореферат, добавлен 27.09.2014Інтерференція світла як перерозподіл інтенсивності в просторі внаслідок накладання двох або кількох когерентних хвиль, в результаті чого в одних місцях виникають максимуми, а в інших мінімуми інтенсивності. Методи обчислення оптичної довжини шляху.
курсовая работа, добавлен 26.03.2016Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Огляд результатів дослідження оптичних характеристик кристалів ZnS:Mn. Аналіз небезпечних, шкідливих факторів і заходи з охорони праці під час роботи установок кріогенної техніки. Розрахунок системи штучного освітлення при обробці експериментальних даних.
дипломная работа, добавлен 08.02.2016Методи створення фазово-спряженого імпульсу та частотно-селективного підсилення, вплив кристалографічної анізотропії. Модель подвійного обернення хвильового фронту спінових хвиль в феритових плівках. Використання поверхневих магнітостатичних хвиль.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження довгочасової кінетики фотолюмінесценції у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках. Визначення фосфоресценції, аномально малої величини бекерелевого показника згасання, немонотонності температурної залежності.
автореферат, добавлен 30.10.2015