Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
Характеристика основоположних підходів до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів. Головна особливість дослідження поперечного перерізу пристрою та відповідних енергетичних зон під напругою прямого зміщення.
Подобные документы
- 26. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Дослідження специфічних особливостей теоретичної моделі для опису кінетики процесу аморфізації під електронним опроміненням. Розробка методу для обґрунтування технології колективної взаємодії тунельних дворівневих систем в аморфних твердих тілах.
автореферат, добавлен 28.08.2015Огляд математичного моделювання закономірностей теплофізичних процесів при твердненні сплавів на основі заліза для розроблення нових технологічних прийомів керування якістю чавунових відливків за рахунок аналізу результатів чисельного дослідження.
автореферат, добавлен 31.01.2014Експериментальні дослідження по визначенню зусиль у тяговому канаті драглайна. Визначення кількісних даних по енергетичних витратах на зачерпування ґрунту при різних конструкціях ковша драглайна. Моделювання робочого обладнання кар'єрних екскаваторів.
лабораторная работа, добавлен 21.08.2015Математична модель енергетичних показників гідротурбіни в діапазоні змінення режимних параметрів. Методика чисельного моделювання пошуку цілеспрямованих змін геометрії робочих органів. Гідравлічна потужність, коефіцієнт теоретичного напору турбіни.
автореферат, добавлен 10.01.2014- 31. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Чисельне моделювання стаціонарних та нестаціонарних двофазних стисливих течій в'язкого газу з теплообміном, рециркуляцією та відривом потоку в областях довільної геометрії. Моделювання процесів, що відбуваються під час нанесення захисних покриттів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження теплових процесів у нових конструкційних і інструментальних матеріалах за допомогою математичного моделювання (вирішення задачі теплопровідності) та ідентифікації їх теплофізичних властивостей методом підстановки Кірхгофа та її апроксимацію.
автореферат, добавлен 27.09.2014Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".
автореферат, добавлен 28.10.2015Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Головна особливість дослідження біологічних властивостей води на основі використання методу газорозрядного випромінювання в електромагнітному полі. Характеристика основоположних методів та алгоритмів цифрової обробки зареєстрованих зображень світла.
статья, добавлен 30.10.2016- 37. Розрахунок та моделювання мікросмужкового фільтра з характеристикою Чебишова 1-го роду, n-го порядку
Розрахунок довжини мікросмужкових ліній в системі Mathcad. Характеристика моделювання фільтра згідно моделі довгої лінії. Аналіз визначення коефіцієнту проходження фільтра. Врахування втрат в матеріалах під час моделювання в CST Microwave Studio.
статья, добавлен 17.09.2020 Моделювання фізичних процесів у геокосмосі в різних умовах, аналіз стану іоносфери та космічної погоди протягом циклу сонячної активності. Фізичне тлумачення спостережуваних процесів, явищ. Характеристика напівемпіричного моделювання параметрів іоносфери.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження теорії математичного моделювання та створення теоретичних засад нового напрямку "нейроматематичного моделювання" електроенергетичних систем. Аналіз методів реалізації програмних штучних нейронних мереж для здійснення у реальному часі.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз довгострокової імітаційної моделі влучення розряду довгої іскри в площину. Результати чисельного імітаційного моделювання імовірнісного процесу влучення довгої іскри в площину. Моделювання щільності розподілу точок ураження за даними експерименту.
статья, добавлен 06.02.2017Аналіз аномальних гістерезисних явищ у критичному струмі. Характер прояву фононної структури анізотропного надпровідника в спектрах тунельних і андріївських контактів. Розробка моделі, що пояснює стабільність критичного стану в гранулярних металооксидах.
автореферат, добавлен 04.03.2014Заміна освітлювальних приладів на основі ламп розжарювання та газорозрядних джерел світла на світлодіодне освітлення. Надійність і енергоефективність використання діодів у сфері енергозаощадження. Впровадження комплексних систем освітлення в Україні.
статья, добавлен 19.02.2016Застосування багатокомпонентних силікатних стекол у низькотемпературній термометрії в присутності магнітного поля. Тунельні моделі для аморфних твердих тіл. Кінетика процесу аморфізації під електронним опроміненням. Колективна взаємодія тунельних систем.
автореферат, добавлен 22.07.2014Визначення маси медичного шприца. Оцінка діаметру поперечного перерізу капіляра термометра. Визначення густини дерева та відношення площ перерізу мензурки і дерев’яної палички, опору з’єднувальних провідників, відношення жорсткостей гумових ниток.
статья, добавлен 27.12.2016Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016- 47. Визначення статичних характеристик навантаження споживачів власних потреб атомних електростанцій
Характеристика детальної математичної моделі власних потреб (ВП) атомної електростанції (АЕС). Формування статичних характеристик навантаження за напругою ВП АЕС для використання під час моделювання системних аварій на основі розрахунків режимів.
статья, добавлен 30.01.2016 Область прикладних результатів i фундаментальних досліджень. Фазово-когерентний транспорт – макроскопічне квантове явище. Нерівноважні властивості багатошарових тунельних структур. Анізотропія параметру порядку високотемпературних надпровідників.
автореферат, добавлен 24.02.2014Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014- 50. Субгармонійний ферорезонанс в електричних мережах високої напруги з ефективним заземленням нейтралі
Моделювання коливних процесів в нелінійних електричних колах, які можуть супроводжуватись перенапругами та надструмами. Розробка ефективних методів для моделювання ферорезонансних процесів в діючих електричних мережах сучасного рівня складності.
автореферат, добавлен 13.08.2015