Тонкопленочные конденсаторы
Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов. Резонаторы и фильтры на основе МПЛ. Логические ИМС и базовые ячейки. Максимально допустимая относительная погрешность воспроизведения площади конденсатора. Диодное включение интегрального транзистора.
Подобные документы
Выбор метода контроля и разработка структурной схемы конденсатора. Характеристика расчета погрешности установки. Определение требований к компонентам прибора для конденсации. Подсчет контрольных допусков и условной вероятности ошибки первого рода.
курсовая работа, добавлен 12.04.2017Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Построение нагрузочной кривой на графике выходных характеристик транзистора и проходной характеристики. Расчет входного сопротивления и коэффициента усиления с учетом обратной связи. Расчет промежуточного каскада усилителя и разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 28.06.2015Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Структура эпитаксиально-планарного транзистора. Многоэмиттерные транзисторы n-p-n-типа. Транзистор с диодом шотки. Структура МДП-конденсатора. Транзисторно-транзисторная логика. Базовые высокоомные слои р-типа. Изопланарная структура резисторов.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014Методика определения частоты дискретизации по теореме Котельникова. Выбор источника опорного напряжения. Погрешность разряда накопительного конденсатора. Сущность принципа дихотомии, который лежит в основе работы аналого-цифрового преобразователя.
курсовая работа, добавлен 29.03.2017Аналитический расчет площади печатной платы. Повышение механической прочности геометрических размеров на указанных элементах. Трудоемкость изготовления межъячеечной коммутации. Обеспечение минимума теплового градиента и допустимая разность потенциалов.
контрольная работа, добавлен 15.04.2016Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Схема оконечного каскада. Расчет эквивалентных параметров транзистора оконечного каскада. Вычисление температурного ухода коллекторного тока оконечного каскада. Распределение искажений нижних частот и расчет емкостей конденсаторов оконечного каскада.
контрольная работа, добавлен 16.10.2017Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012Фактор, влияющий на характеристики усилителя в области высоких частот. Граничная частота передачи тока базы. Семейство выходных характеристик выбранного транзистора. Падение напряжения на сопротивлении эмиттера. Расчет разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.02.2014Проверка достаточности напряжения питания схемы. Выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Выбор транзистора по параметрам режима эксплуатации. Графоаналитический расчет каскада по постоянному току. Определение величин емкостей конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 29.05.2014Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Определение геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой тонкопленочным резисторам на подложке. Электрофизические параметры обеспечения микросхем. Оценка преимуществ ситаллов перед стеклами. Техпроцессы фотолитографии и скрайбирования.
реферат, добавлен 06.03.2014Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Разработка структурной и принципиальной схемы блока, принцип ее работы. Упрощенный расчет транзистора для работы в ключевом режиме на резистивную нагрузку. Выбор электрорадиоэлементов (резисторы, конденсаторы, светодиоды, реле и др.) и их обоснование.
дипломная работа, добавлен 19.05.2015Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016