Механізми дефектоутворення та люмінесценції у бездомішкових і легованих телуром кристалах селеніду цинку
Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
Подобные документы
Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливості процесу структуроутворення сплавів системи Nd-Fe-C, визначення кінетичних особливостей їх кристалізації у рівноважних, нерівноважних умовах твердіння. Механізми коерцитивної сили у виготовлених магнітах на основі магнітожорсткої фази Nd2Fe14С.
автореферат, добавлен 29.08.2014Вплив низькотемпературних методів виготовлення плівок систем Cu-In-Se та CuInSe2-ZnSe на їх фазовий склад та структуру для потреб геліоенергетики. Методика осадження плівок ZnSe на поверхні альфа-CIS для буферних шарів плівкових сонячних елементів.
автореферат, добавлен 13.08.2015Процесс токопереноса в теории неупорядоченных конденсированных систем на примере пленочных структур In2O3-ZnSe-In, In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In. Процессы вакуумной конденсации пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe), (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3).
автореферат, добавлен 15.02.2018Вивчення дисперсійних залежностей фононних станів оксиду цинку в напрямку Г – А зони Бріллуена. Особливості взаємодії елементарних збуджень електронного типу в монокристалах ZnO та CdSe та низькотемпературних спектрів лазеру нанокристалічного ZnO.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка ефективного чисельно-аналітичного методу для пошуку нових стаціонарних та рівномірно-обертальних симетричних та несиметричних конфігурацій систем точкових вихорів однакової інтенсивності в ідеальній нестисливій рідині на необмеженій площині.
автореферат, добавлен 24.07.2014Кристал – тверде тіло з упорядкованою внутрішньою будовою. Типи кристалічних ґраток. Зв’язки в кристалах, природа утворення металічного, водневого типів зв’язків. Дефекти кристалічної структури: крайова і гвинтова дислокації, точкові порушення будови.
реферат, добавлен 17.04.2013Оптичні методики вивчення особливостей процесів фотолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла у самоіндукованих наноострівцевих структурах CdSe/ZnSe. Технологічні параметри отримання квантових точок в одношарових та багатошарових наноструктурах.
автореферат, добавлен 11.08.2014Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Характеристика механізмів динамічного розсіяння Х-променів у випадку аномального проходження на окремих структурних дефектах в кремнії. Вивчення особливостей та закономірностей формування багатопелюсткових борманівських зображень дислокаційних петель.
автореферат, добавлен 29.07.2014Встановлення закономірностей колективної рекомбінації у низькорозмірних структурах при високих рівнях збудження. можливості використання явища для створення фемтосекундних випромінювачів світла. Програма обрахунку енергетичної структури квантових шарів.
автореферат, добавлен 05.08.2014Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 117. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворення вакансій радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, які описуються багаточастинковими атомними потенціалами.
автореферат, добавлен 22.06.2014 Температурні залежності інтенсивності та яскравості випромінювання спектрів фотолюмінесценції кристалів ZnS:Mn при різних значеннях концентрації активатора. Аналіз функції помилок при розкладенні інтегральних спектрів за допомогою функції Гауса.
автореферат, добавлен 15.07.2014- 119. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень. Утворення вакансій, радіаційно-адсорбованих та міжвузлових атомів у каскадах зіткнень, що виникають в одно- і двокомпонентних кристалах при взаємодії з низькоенергетичними іонами інертних газів.
автореферат, добавлен 22.06.2014 Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013Вивчення оптичних, спектрально-люмінесцентних та люмінесцентно-кінетичних характеристик досліджуваних зразків. Аналіз люмінесцентно-кінетичних параметрів власного та активаторного випромінювання у йодистих матрицях при збудженні квантами різної енергії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження механізмів фізичних процесів, насамперед, структурних перетворень, що відбуваються у сегнетоелектричних кристалах з неспівмірними фазами під дією електромагнітного випромінення оптичного діапазону та періодичної або швидкої зміни температури.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014- 124. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016