Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
Подобные документы
Розробка приладів безперервного магнітного контролю дефектів, викликаних водневою корозією техногенно небезпечних промислових об’єктів. Вплив температури на функцію перетворення. Конструкція первинного магніточутливого елемента та спосіб його збудження.
автореферат, добавлен 13.07.2014Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.
автореферат, добавлен 12.02.2014Концепція формування математичного забезпечення інформаційної технології фільтрації інформації на основі перетворення Гільберта-Хуанга. Розроблення забезпечення інформаційної технології фільтрації нечіткої інформації від шумів у радіотехнічних системах.
статья, добавлен 27.07.2016Розробка чисельно-аналітичної моделі теплового поля в ростовій камері. Розрахунок температурних профілів злитка GaАs LEC методом. Визначення впливу температурних полів і термопластичних напруг на утворення структурних дефектів в монокристалах GaАs.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз інтеграції міжкультурної комунікації у вітчизняному освітньому процесі на прикладі м. Мелітополь. Потреба у підготовці студентів, здатних ефективно комунікувати в умовах розвитку міжкультурних контактів. Інтегрування у професійне середовище.
статья, добавлен 30.03.2023Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014Удосконалення оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів. Аналіз методу підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації інжекційного підсилення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дифузійно-дрейфова модель струму, що основана на транспортному рівнянні Больцмана. Роль електричного поля при виході за межі режиму лінійного відгуку. Польовий транзистор і струм насичення. Роль заряджання провідника, його точкова і розширена модель.
статья, добавлен 13.01.2017Аналіз існуючих методів кодування цифрових голосових сигналів. Дослідження статистичних властивостей дискретного перетворення Уолша. Розробка й оцінка методу стиску і відновлення цифрових голосових сигналів на основі виявлених статистичних властивостей.
автореферат, добавлен 28.08.2015Знайомство із середовищем моделювання. Аналіз роботи з меню і вибір компонентів з бібліотеки. Особливості електровимірювальних приладів. Коефіцієнт передачі каскадного включення декількох чотириполюсників. Основні дослідження біполярного транзистора.
методичка, добавлен 17.10.2014Аналіз вібросигналів, їх інформативних складових і можливих методів виділення та перетворення для систем керування. Властивості шумової складової та обґрунтування можливості її придушення. Можливості формування керуючого сигналу, розробка засобів.
автореферат, добавлен 11.08.2014Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Виявлення фізичних особливостей процесів формування та транспортування щільних нерелятивістських потоків електронів з криволінійними траєкторіями в магнітних полях. Розрахунок магнетронних гармат, призначених для формування аксіально-симетричних потоків.
автореферат, добавлен 27.07.2015Аналіз існуючих методів кодування цифрових голосових сигналів. Дослідження статистичних властивостей дискретного перетворення Уолша. Розробка процедури визначення типу блока, фільтрації. Удосконалення методу стиску і відновлення коефіцієнтів трансформант.
автореферат, добавлен 24.07.2014Методи побудови засобів контролю на основі безконтактних перетворювачів кутових переміщень (ПКП). Обгрунтовання вибору та методів розширення діапазону вимірювання, підвищення точності приладів. Структурні методи розширення функціональних можливостей ПКП.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження поведінки забруднюючих металевих домішок в процесі вирощування монокристала кремнію за методом Чохральського та технологічних операцій виготовлення мікроелектронних приладів. Посилення вхідного контролю кінцевої частини монокристалів кремнію.
статья, добавлен 24.06.2022Властивості стаціонарного проходження електричного струму між електродами у вакуумі. Розробка типів джерел плазми й іонів та плазмових прискорювачів з електродом, що однорідно випаровується у вакуумі; методів термоіонного напилення плівок і покриттів.
автореферат, добавлен 11.11.2013Відображення однієї і пропуск іншої частини спектру випромінювання - принцип дії дихроічного фільтру. ПЗС-матриця - аналогова інтегральна мікросхема, що складається з світлочутливих фотодіодів і використовує технологію приладів із зарядовим зв'язком.
курсовая работа, добавлен 04.06.2015Схеми вимірювання постійного струму, напруги. Розрахунок похибки, що спричинена відхиленням форми кривої досліджуваного сигналу від синусоїдної для приладів, покази яких пропорційні середнім значенням. Будова прецизійного мікропроцесорного вольтметру.
курсовая работа, добавлен 05.06.2018Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Принцип роботи та структура приладів для дистанційного керування. Нераціональне використання можливостей мікроконтролера. Алгоритм функціонування пристрою та розробка схеми електричної структурної. Блок керування навантаженнями підвищеної надійності.
курсовая работа, добавлен 06.10.2015Аналіз функцій апроксимації нелінійної характеристики моделей багатофункціональних параметричних зонних пристроїв. Розробка вузлів підсилювачів, компараторів, помножувачів частоти і приладів модуляції сигналів для використання в радіоелектронних засобах.
контрольная работа, добавлен 28.10.2015Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018The heterojunctions, like electronic devices, are non-linear elements, which means that their OCA cannot be described by the usual Ohm's law. When illuminated from the side of the n-type semiconductor, the radiation is absorbed in the semiconductor.
статья, добавлен 15.09.2024Методи виміру температури і температурних шкал, класифікація вимірювальних приладів. Характеристика існуючих термоопорів. Синтез функціональної схеми датчика температури. Розрахунок аналого-цифрового перетворювача і вибір комплектуючих елементів.
курсовая работа, добавлен 19.08.2012