Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PbTe, PbSe, PbS n-типу провідності
Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
Подобные документы
- 26. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Вивчення квантових ефектів в плівках телуриду свинцю і вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, електрофізичних, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від товщини шарів методом термічного випаровування в вакуумі на підкладки з слюди.
автореферат, добавлен 27.09.2014Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Особливості розробки базованої на матриці розсіювання теорії фазово-когерентного транспорту в мезоскопічних провідних системах, характеристика визначення механізму квантового генерування струму та специфіка дослідження властивостей генерованого струму.
автореферат, добавлен 28.09.2014Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014Температурні залежності інтенсивності та яскравості випромінювання спектрів фотолюмінесценції кристалів ZnS:Mn при різних значеннях концентрації активатора. Аналіз функції помилок при розкладенні інтегральних спектрів за допомогою функції Гауса.
автореферат, добавлен 15.07.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Закономірності впливу структури, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічного відпалу, радіаційного опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та їх аналогів. Методика вимірювання теплопровідності тонких плівок.
автореферат, добавлен 11.11.2013Використання методів визначення абсолютних значень періодів ґратки кристалів за допомогою багатохвильової дифрактометрії. Компланарна багатохвильова дифракція. Умові реалізації компланарної дифракції. Динамічна теорія розсіювання рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Розробка ієрархічного підходу для визначення фізичних властивостей халькогенідів лужноземельних металів (ХЛЗМ) під тиском. Дослідження та розрахунки впливу тиску на електронні зонні структури, розподіл електронних густин, ефективні заряди кристалів ХЛЗМ.
автореферат, добавлен 26.07.2014Рекомендації з покращення приводних електромагнітів постійного струму і вибір їхніх раціональних параметрів для контакторів змінного струму. Вплив розмірів феромагнітних шунтів з поперечним рухом якоря на статичний тяговий момент у початковому положенні.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Встановлення закономірностей утворення дефектів кристалічної структури. Методи оптимізації параметрів процесу вирощування довгомірних лужно-галоїдних монокристалів максимального діаметру із поліпшеними структурними та сцинтиляційними характеристиками.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення оптико-спектральних та люмінесцентно-кінетичних властивостей кристалів у широкому температурному інтервалі при лазерному та рентгенівському збудженнях. Розробка сцинтилятора рентгенівського випромінювання, його використання та значення.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення взаємозв’язку між електроопором, магнетоопором, тензоопором бінарних та багатокомпонентних аморфних металевих сплавів. З’ясування особливостей механізмів розсіювання носіїв заряду та розробки фізичних моделей, що описують електроперенос.
автореферат, добавлен 12.07.2015Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дослідження енергетичної залежності пружного розсіювання повільних електронів на атомах Be, Mg, Sr, Ba. Аналіз ролі динамічної та кінематичної сторін процесу. Інтерпретація немонотонності поведінки цієї енергетичної залежності як прояв D-резонансу форми.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Періодичне освітлення в фоточутливому матеріалі. Формування граток заряду. Дослідження фоторефрактивного ефекту. Можливості використання кристалів у пристроях динамічної голографії. Динаміка формування розподілу фотоіндукованого розсіювання світла.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014