Особливості електронних процесів у ZnSe i CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів
Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
Подобные документы
Исследование результатов экспериментального применения адаптивного голографического интерферометра. Анализ двухволнового взаимодействия в фоторефрактивном кристалле CdTe:V для детектирования колебаний микромеханических осцилляторов в жидкой среде.
статья, добавлен 02.08.2021Дослідження акустичних спектрів та в'язкопружних властивостей ізопропілового і пропілового спиртів, їх водних розчинів. Методи розрахунку термодинамічних характеристик в'язкої течії. Аналіз ймовірних молекулярних механізмів релаксаційних процесів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Ізотермічна релаксація бінарних сплавів, загартованих до температур, нижчих за точку твердотільного фазового перетворення порядок-непорядок. Супутні процеси сегрегації (збережний параметр порядку) на утворюваних дефектах структури (антифазних границях).
автореферат, добавлен 26.09.2015Процес нанесення живильних розчинів з низьким питомим об’ємним опором на рослини. Переваги індукційного методу зарядки краплин у технологічному процесі електростатичного нанесення живильних розчинів. Залежність зміни часу стікання електричного заряду.
статья, добавлен 30.01.2017Аналіз фізичних процесів, які визначають кінетику згасання фотолюмінесценції нанокремнію в широкому часовому діапазоні. Розробка моделі опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Критичні, резистивні та високочастотні властивості тонких епітаксійних надпровідних плівок. Особливості механізму росту плівок YBCO та утворення специфічної наноструктурної мережі дислокаційних меж доменів. Механізми протікання надпровідного струму.
автореферат, добавлен 10.08.2014Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Поведінка енергетичних рівнів хвильових функцій, оптичні параметри екситонів у подвійних квантових ямах на базі напівмагнітних напівпровідникових сплавів. Використання в якості спінового фільтра системи CdTe з домішками Mn. Розрахунок спінового фільтру.
автореферат, добавлен 24.07.2014- 111. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 - 112. Одно- та двофотонно індуковані електронні процеси у розчинах донорно-акцепторних флуоренових молекул
Аналіз особливостей електронної будови та отримання набору лінійних фотофізичних параметрів нових органічних сполук флуоренового типу. Дослідження процесів нелінійного пропускання розчинів флуоренових похідних. Вивчення їх фотохімічної стабільності.
автореферат, добавлен 17.07.2015 Дослідження природи в‘язко-пружної анізотропії високоорієнтованих полімерних волокон. Опис розробки методу визначення поперечних компонентів дійсної та уявної частин тензора комплексної податливості. Розробка моделі сегментальної рухливості волокон.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розробка механізму іонолюмінісцентних сполук в області низьких значень енергії іонів. Врахування акомодації коливальної енергії по електронному каналу. Моделювання ІЛ, яка збуджується іонами низьких енергій цинк-кадмій-сульфідних кристалофосфорів.
автореферат, добавлен 30.10.2015Закономірності впливу електричного струму і конструктивної схеми донного електрода на рух розплаву в сталеплавильній ванні. Розробка математичної моделі процесів конвективного теплообміну в розплаві. Чисельна схема розрахунку процесів гідродинаміки.
автореферат, добавлен 27.04.2014Розвиток підходу до розв'язання нових класів задач удару та занурення твердих і схильних до деформації затуплених тіл у стисливу рідину. Особливості розвитку процесу ударної взаємодії затуплених тіл зі стисливою рідиною на основі запропонованої моделі.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка математичної моделі дифузії домішок азоту та їх взаємодії з атомами підґратки миш’яку. Визначення вливу температури нітридизації і величини поруватості підкладок на кристалографічні, морфологічні та оптичні властивості гетероепітаксійних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Створення двовимірної багатоперіодної математичної моделі магнетронного автогенератора з урахуванням впливу теплових процесів на катоді і аноді. Розробка методу експериментального визначення електродинамічних параметрів математичної моделі магнетрона.
автореферат, добавлен 30.08.2014- 119. Особливості процесів теплоперенесення та кристалізації при загартуванні металів з рідкого стану
Вплив теплофізичних властивостей матеріалу підкладки холодильника на термічний режим охолодження. Розробка моделі кінетики кристалізації металів, що враховує конкуренцію процесів зародження і росту рівноважної, метастабільної поліморфної модифікації.
автореферат, добавлен 26.09.2014 Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розрахунок на основі моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини, температурної залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини з різною концентрацією бар’єрного наноматеріалу.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014- 125. Фізика твердого тіла
Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014