Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.

Подобные документы

  • Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.

    контрольная работа, добавлен 29.10.2010

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.

    статья, добавлен 29.07.2016

  • Общая характеристика нелинейных цепей переменного тока и методов их исследования. Замена несинусоидальных функций эквивалентными синусоидальными. Методы расчета нелинейных цепей переменного тока на основе метода сложения ВАХ для эквивалентных синусоид.

    реферат, добавлен 23.07.2013

  • Определение характеров процессов, протекающих в электрических цепях с "неэлектрическими" параметрами. Создание колебательных систем с различной физической природой. Электрические колебательные контуры, состоящие из "нетрадиционных" реактивных элементов.

    статья, добавлен 31.08.2018

  • Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.

    дипломная работа, добавлен 12.11.2014

  • Создание нового поколения солнечных плоских коллекторов для систем тепло- и хладообеспечения на основе использования многослойных, многоканальных структур из полимерных материалов в их конструкции. Рабочие процессы, происходящие в солнечном коллекторе.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Особенности нелинейных цепей при переменных токах. Основные типы характеристик нелинейных элементов в цепях переменного тока. Основные этапы методики анализа нелинейной цепи графическим методом с использованием характеристик для мгновенных значений.

    контрольная работа, добавлен 30.03.2017

  • Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.

    курсовая работа, добавлен 31.10.2016

  • Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.

    курсовая работа, добавлен 25.09.2014

  • Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Энергосберегающие технологии и государственные программы энергосбережения. Системы энергообеспечения на основе фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Электронные энергосберегающие регуляторы, датчики движения в системах освещения.

    презентация, добавлен 22.01.2016

  • Испарительные охладители прямого и непрямого типа с насадкой на основе многослойных и многоканальных полимерных структур. Использование охладителей в автономных и комбинированных вариантах, а также в составе солнечных осушительно-испарительных систем.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Разработка и реализация модифицированных математических моделей для выполнения поверочных тепловых расчетов на основе теории цепей в одно- и многомерной постановке задачи. Создание САПР низковольтных электромагнитных аппаратов низкого напряжения.

    автореферат, добавлен 30.01.2018

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

    учебное пособие, добавлен 10.04.2015

  • Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.

    контрольная работа, добавлен 18.10.2014

  • Элементы нанопроводной электроники. Создание квантово-размерных наноконтактов на основе локального окисления, индуцированного током. Свойства и структура нанотрубок. Получение углеродных наноструктур. Термическое разложение графита в дуговом разряде.

    реферат, добавлен 10.10.2016

  • Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.

    реферат, добавлен 19.05.2017

  • Описание нелинейных волновых процессов для акустики и гидродинамики в терминах возмущения плотности, давления и колебательной скорости. Рассмотрение простого волнового процесса. Решение волнового уравнения для среды с диссипацией, уравнения Бюргерса.

    реферат, добавлен 21.08.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.