Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах
Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
Подобные документы
Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Основні поняття, методи та завдання ідентифікації. Принципи моделювання досліджуваних об'єктів. Характеристика фізичних та математичних моделей, їх властивості. Особливості сигналів як носіїв інформації фізичної природи, моделювання імпульсних систем.
контрольная работа, добавлен 18.07.2013Хвильовий метод визначення межі зони роботи радіоканалу зв’язку підрозділів ВВ в умовах радіопридушення. Імітаційна модель роботи радіоканалу зв’язку, яка дозволить оцінити параметри його завадостійкості. Варіанти фрагментів ізолінії у контурній комірці.
статья, добавлен 14.07.2016Розробка норм на захисні відношення за радіочастотою для частотно-територіального планування синхронних мереж в діапазоні ДВЧ на основі результатів досліджень спотворень, які виникають при прийманні сигналів. Неузгодженість частот-носіїв передавачів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Поняття та види тиску. Принцип дії рідинних і мембранних приладів. Характеристики і типи манометрів. Сильфоні сигнальні пристрої з годинниковим приводом. Застосування теплоелектричного вакуумметра. Конструкція мініатюрного давача тиску крові в судинах.
курсовая работа, добавлен 16.07.2017Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Сучасний стан теорії випромінювальних систем для зони Френеля. Формули, розрахункові співвідношення для ВС з круглою сфокусованою апертурою з фазовими флуктуаціями поля на апертурі. Середні, кореляційні характеристики поля в зоні Френеля круглої апертури.
автореферат, добавлен 26.07.2014Методики організації комбінованого носія та приводу зчитування, при розробці яких приоритетними параметрами були щільність і швидкість запису та завантаження при відтворенні даних центрального процесора. Проблеми об’ємного оптичного запису інформації.
статья, добавлен 29.01.2019Розробка математичної моделі для дослідження впливу фонового випромінювання на МПФ ОС та параметри розсіяного випромінювання, які впливають на МПФ. Розробка алгоритмів та експериментальне вимірювання функцій розсіювання випромінювання в елементах ОС.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Характеристика особливостей розвитку методів моделювання мікрострічкових електродинамічних структур, що містять елементи з розподіленими і зосередженими нелінійними елементами. Дослідження основних нелінійних режимів і параметрів таких структур.
автореферат, добавлен 30.07.2015Визначення шляхів адаптації та синтезу ефективних рішень для апаратно-логічної структури фізично-канального рівня транспортних оптичних мереж. Дослідження основних властивостих оптичних багатоканальних трактів із урахуванням дисперсійних ефектів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013Розробка системи навігаційного визначення (позиціонування) носіїв мобільних станцій з точністю, достатньою для візуального пошуку в щільній міській забудові або в лісовій (парковій) зоні у просторовій системі базових станцій мережі мобільного зв’язку.
автореферат, добавлен 28.09.2014Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
статья, добавлен 27.07.2016Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014Характеристика електрофізичних властивостей структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію у широкому інтервалі температур на постійному та змінному струмах. Аналіз передумов розроблення фізичних основ створення мікроелектронних сенсорів.
автореферат, добавлен 21.03.2016Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження параметрів і властивостей потоків викликів сучасних телекомунікаційних систем та мереж. Встановлення залежності ймовірності втрат викликів від коливання інтенсивності навантаження і виду закону розподілу тривалості їх обслуговування.
автореферат, добавлен 13.07.2014Аналіз сучасної аерометричної навігаційної системи та її основних похибок. Розробка методів розрахунку пневмомеханічних вимірювальних перетворювачів тиску навігаційних систем. Методи та засоби підвищення їх точності в умовах дії збурюючих факторів.
автореферат, добавлен 27.07.2014